[發明專利]一種降低納米二氧化鈦光催化活性的方法

有效

• 申請號: 201110317818.2
• 申請日: 2011-10-12
• 公開（公告）號: CN103046011A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 孫錫泉;張浴暉;王俊發;劉其達;張元洪;梁玉超
• 申請（專利權）人: 青島大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;B01J21/06;B01J33/00
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1.一種降低納米二氧化鈦光催化活性的方法，其特征在于所述的方法包括下列步驟：將納米二氧化鈦粉末放置在磁控濺射儀基底上，基底材料為陽極，濺射靶為陰極，使靶材與納米二氧化鈦粉末間保持適當距離，調節濺射室內的壓力、射頻電源的功率，使靶面單位面積功率保持穩定，使工作氣體起輝，磁控濺射一定時間，得到低光催化活性的納米二氧化鈦粉末。

2.根據權利要求1所述的降低納米二氧化鈦光催化活性的方法，其特征在于所述的納米二氧化鈦是指粒徑尺度介于0.1nm至100nm的二氧化鈦粉末或含有納米二氧化鈦粉末的混合物。

3.根據權利要求1所述的降低納米二氧化鈦光催化效率的方法，其特征在于用鋼靶、黃銅靶、銅靶作為濺射靶材。

4.根據權利要求1所述的降低納米二氧化鈦光催化活性的方法，其特征在于所述的靶材與納米二氧化鈦粉末間的距離介于1cm至15cm。

5.根據權利要求1所述的降低納米二氧化鈦光催化活性的方法，其特征在于工作氣體為氮氣體積比介于60-80％、氧氣體積比介于20-40％的混合氣體，優選空氣。

6.根據權利要求1所述的降低納米二氧化鈦光催化效率的方法，其特征在于濺射時間介于介于1分鐘至5分鐘。

7.根據權利要求1所述的降低納米二氧化鈦光催化效率的方法，其特征在于磁控濺射室內壓力介于介于1Pa至50Pa。

8.根據權利要求1所述的降低納米二氧化鈦光催化效率的方法，其特征在于濺射過程中使用的電源為頻率為13.56MHz的射頻電源。

9.根據權利要求1所述的降低納米二氧化鈦光催化效率的方法，其特征在于濺射過程中靶面單位面積功率介于0.1W/cm²至25W/cm²。