[發明專利]發光元件

無效

• 申請號: 201110317294.7
• 申請日: 2011-10-12
• 公開（公告）號: CN102447028A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 今野泰一郎
• 申請（專利權）人: 日立電線株式會社
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;於毓楨

1.一種發光元件，其具備：

半導體基板；

發光部，具有被第1導電型的第1包覆層和與所述第1導電型不同的第2導電型的第2包覆層夾持的活性層；

反射部，設置于所述半導體基板與所述發光部之間，反射所述活性層發出的光；和

電流分散層，設置于所述發光部的與所述反射部相對的一側，

所述反射部具有多層包含第1半導體層和與所述第1半導體層不同的第2半導體層的成對層而形成，

當設所述活性層發出的光的峰值波長為λ_p、所述第1半導體層的折射率為n_A、所述第2半導體層的折射率為n_B、所述第1包覆層的折射率為n_In、光從所述第1包覆層向所述第2半導體層的入射角為θ時，所述第1半導體層具有由式(1)確定的厚度T_A1，

所述第2半導體層具有由式(2)確定的厚度T_B1，

所述成對層包含在44～61的θ的值的范圍內由所述式(1)和所述式(2)規定的厚度的所述第1半導體層和所述第2半導體層，并且包含由在44～61的θ的值的范圍內由所述式(1)規定的厚度的所述第1半導體層和在44～61的θ的值的范圍內由所述式(2)規定的厚度的所述第2半導體層構成的成對層。

TA1=λp4nA1-(nInsinθnA)2]]>式(1)

TB1=λp4nB1-(nInsinθnB)2]]>式(2)

2.根據權利要求1所述的發光元件，其進一步具備：

中間層，設置于所述第2包覆層與所述電流分散層之間，

所述中間層是由具有構成所述第2包覆層的半導體的帶隙能量與構成所述電流分散層的半導體的帶隙能量之間的帶隙能量的半導體形成的。

3.根據權利要求2所述的發光元件，其中，

所述成對層包含具有λ_p/4n_A的1.5倍以上的厚度T_A1的所述第1半導體層、和具有λ_p/4n_B的1.5倍以上的厚度T_B1的所述第2半導體層。