[發明專利]鍺硅HBT器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110317251.9
• 申請日: 2011-10-18
• 公開（公告）號: CN102412283A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 劉冬華;胡君;段文婷;石晶;錢文生
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/737
• 分類號: H01L29/737;H01L29/06;H01L21/331
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種鍺硅HBT器件，包括有鍺硅基區外延層，所述鍺硅基區外延層包括自上而下的覆蓋層、鍺硅層和緩沖層；其特征是：

所述覆蓋層為n型摻雜的硅材料；

所述鍺硅層為鍺硅材料，自上而下又分為三個部分，分別是第一n型摻雜部分、p型摻雜部分、第二n型摻雜部分；所述第一n型摻雜部分和p型摻雜部分之間的分界線作為EB結；所述p型摻雜部分和第二n型摻雜部分之間的分界線作為CB結；

所述緩沖層為n型摻雜的硅材料。

2.根據權利要求1所述的鍺硅HBT器件，其特征是，所述覆蓋層、鍺硅層和緩沖層中的n型雜質包括磷、砷。

3.根據權利要求1所述的鍺硅HBT器件，其特征是，所述鍺硅層中的p型雜質包括硼。

4.一種制造如權利要求1所述的鍺硅HBT器件的方法，包括有外延生長形成鍺硅基區外延層、淀積多晶硅形成T型發射極的步驟；其特征是：

所述外延生長形成鍺硅基區外延層的步驟中，在外延工藝中摻雜p型雜質和n型雜質，且所摻雜的p型雜質濃度高于所摻雜的n型雜質；

所形成的基區包括自上而下的覆蓋層、鍺硅層和緩沖層；

所述覆蓋層為n型摻雜的硅材料；

所述鍺硅層為鍺硅材料，自上而下又分為三個部分，分別是第一n型摻雜部分、p型摻雜部分、第二n型摻雜部分；所述第一n型摻雜部分和p型摻雜部分之間的分界線作為EB結；所述p型摻雜部分和第二n型摻雜部分之間的分界線作為CB結；

所述緩沖層為n型摻雜的硅材料；

所述淀積多晶硅形成T型發射極的步驟中，或者直接淀積具有n型雜質的多晶硅，或者先淀積未摻雜的多晶硅再進行n型雜質的離子注入，隨后都要進行退火工藝，以使得n型雜質在多晶硅中擴散均勻。

5.根據權利要求4所述的鍺硅HBT器件的制造方法，其特征是，所述淀積多晶硅形成T型發射極的步驟中，退火工藝使多晶硅中的n型雜質擴散到覆蓋層，或者擴散到鍺硅層的第一n型摻雜部分，但禁止其擴散到鍺硅層的p型摻雜部分。