[發明專利]用于制造薄膜太陽能電池的劃線方法無效
| 申請號： | 201110317099.4 | 申請日： | 2011-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN103050567A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發明（設計）人： | 林信志;謝天宏 | 申請（專利權）人： | 太陽海科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 闞梓瑄;馮志云 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 制造 薄膜 太陽能電池 劃線 方法 | ||
1.一種用于制造薄膜太陽能電池的劃線方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一基板，該基板上具有若干個前電極和若干條P1線，且所述若干個前電極和P1線上面設有光吸收層；
用圖像采集裝置掃描所述若干條P1線的軌跡，并發送到劃線機的控制器，所述控制器根據所接收的若干條P1線的軌跡信息控制所述劃線機的劃線頭在所述若干條P1線的同一左側或者同一右側劃P2線，使P2線平行于P1線，以將所述光吸收層分割成若干個光吸收單元；
在所述光吸收層的上表面設置后電極層，后電極層同時填充由于切割光吸收層的劃線動作而形成的線槽；
用圖像采集裝置掃描所述若干條P2線的軌跡，并發送到劃線機的控制器，所述控制器根據所接收的若干條P2線的軌跡信息控制所述劃線機的劃線頭在所述若干條P2線的同一左側或者同一右側劃P3線，使P3線平行于P2線，以將所述后電極層分割成若干個后電極。
2.如權利要求1所述的用于制造薄膜太陽能電池的劃線方法，其特征在于，用于掃描P1線軌跡的圖像采集裝置的數量為一個或者多個；用于掃描P2線軌跡的圖像采集裝置的數量為一個或者多個。
3.一種用于制造薄膜太陽能電池的劃線方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一基板，該基板上具有若干個前電極和若干條P1線，且所述若干個前電極和P1線上面設有光吸收層；
用圖像采集裝置掃描所述若干條P1線的軌跡，并發送到劃線機的控制器，所述控制器根據所接收的若干條P1線的軌跡信息控制所述劃線機的劃線頭在所述若干條P1線的同一左側或者同一右側劃P2線，使P2線平行于P1線，以將所述光吸收層分割成若干個光吸收單元；
在所述光吸收層的上表面設置后電極層，后電極層同時填充由于切割光吸收層的劃線動作而形成的線槽；
所述控制器根據儲存的若干條P1線的軌跡信息控制所述劃線機的劃線頭分別在所述若干條P2線的同一左側或者同一右側劃P3線，使P3線平行于相應的P1線，從而將所述后電極層分割成若干個后電極。
4.如權利要求3所述的用于制造薄膜太陽能電池的劃線方法，其特征在于，用于掃描P1線軌跡的圖像采集裝置的數量為一個或者多個；用于掃描P2線軌跡的圖像采集裝置的數量為一個或者多個。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
