[發(fā)明專利]Cu-Ga合金濺射靶的制造方法以及Cu-Ga合金濺射靶無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110317072.5 | 申請(qǐng)日： | 2011-10-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102451910A | 公開（公告）日： | 2012-05-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 橫林貞之 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 住友金屬礦山株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | B22F3/10 | 分類號(hào)： | B22F3/10;C23C14/34 |
| 代理公司： | 隆天國際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;洪燕 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | cu ga 合金 濺射 制造 方法 以及 | ||
1.一種Cu-Ga合金濺射靶的制造方法，是制造含有堿金屬的Cu-Ga合金濺射靶的方法，其特征在于，
對(duì)至少混合了Cu-Ga合金粉末和含堿金屬的有機(jī)物的混合粉末進(jìn)行燒結(jié)，以使所述Cu-Ga合金濺射靶中的所述堿金屬含量達(dá)到0.01～5質(zhì)量％，其中，所述Cu-Ga合金粉末含有鎵和銅。
2.如權(quán)利要求1所述的Cu-Ga合金濺射靶的制造方法，其特征在于，上述含堿金屬的有機(jī)物含有鈉。
3.如權(quán)利要求1或2所述的Cu-Ga合金濺射靶的制造方法，其特征在于，上述含堿金屬的有機(jī)物含有硫。
4.如權(quán)利要求3所述的Cu-Ga合金濺射靶的制造方法，其特征在于，上述含堿金屬的有機(jī)物為烷基硫酸酯鹽、聚氧乙烯烷基醚硫酸酯鹽或烷基苯磺酸鹽。
5.如權(quán)利要求1所述的Cu-Ga合金濺射靶的制造方法，其特征在于，上述燒結(jié)是將上述混合粉末在300℃～600℃下加熱后，在壓力40kg/cm2以上的加壓下以600℃～900℃進(jìn)行燒結(jié)。
6.一種Cu-Ga合金濺射靶，其特征在于，對(duì)至少混合了含堿金屬的有機(jī)物和Cu-Ga合金粉末的混合粉末進(jìn)行燒結(jié)而得到，且至少含有銅、鎵以及0.01～5質(zhì)量％的堿金屬，其中，所述Cu-Ga合金粉末含有鎵和銅。
7.如權(quán)利要求6所述的Cu-Ga合金濺射靶，其特征在于，
上述含堿金屬的有機(jī)物含有鈉和硫，
上述Cu-Ga合金粉末中的鎵濃度為45質(zhì)量％以下、上述鈉含量為0.01～5質(zhì)量％、且硫的含量為0.01～5質(zhì)量％。
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