[發明專利]在圖形襯底上生長GaN基LED外延片的方法有效
| 申請號： | 201110316898.X | 申請日： | 2011-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN102418145A | 公開（公告）日： | 2012-04-18 |
| 發明（設計）人： | 陳康;梁智勇;苗振林 | 申請（專利權）人： | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/38 | 分類號： | C30B29/38;C30B25/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 吳貴明;余剛 |
| 地址： | 423038 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖形 襯底 生長 gan led 外延 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種在圖形襯底上生長GaN基LED外延片的方法，包括高溫處理、氮化處理以及生長成核層步驟，其特征在于，在所述高溫處理步驟前、所述高溫處理步驟中、所述氮化處理步驟中或者在所述生長成核層步驟中向反應室中通入氧化性氣體，所述氧化性氣體為CO、Cl2、O2、N2O和HCl氣體的一種或者多種。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，當在所述高溫處理步驟前向所述反應室通入所述氧化性氣體時，所述氧化性氣體通入的體積占所述反應室總體積的10ppm-10000ppm。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，當在所述高溫處理步驟中、所述氮化處理步驟中或者在所述生長成核層步驟中通入所述氧化性氣體時，所述氧化性氣體以5×10-5-5×10-2摩爾/分鐘的速度通入到所述反應室中。
4.根據權利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述氧化性氣體與氮氣以混合氣體的形式通入到所述反應室中。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在所述混合氣體中，所述氧化性氣體的體積百分比含量為0.1-99.9％。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述混合氣體中，所述氧化性氣體的體積百分比含量為25-50％。
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