[發(fā)明專利]一種帶補償電路的LDO電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110316456.5
• 申請日: 2011-10-18
• 公開（公告）號: CN102393779A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉建偉;趙文新;羅家俊
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京市德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種帶補償電路的LDO電路，包括LDO電路和補償電路，所述LDO電路包括調(diào)整管M0，反饋電阻R1和R2，輸出端VOUT，所述調(diào)整管M0的漏端與所述反饋電阻R1的之間形成連接節(jié)點N5，同時，所述連接節(jié)點N5連接于所述輸出端VOUT，其特征在于，所述反饋電阻R1被拆分成兩個電阻R11和R12，其中，R1=R11+R12，所述電阻R11和R12之間形成連接節(jié)點N6，所述補償電路的輸入節(jié)點為N1，所述補償電路的輸出節(jié)點為N2，所述輸入節(jié)點N1連接于所述連接節(jié)點N6，所述輸出節(jié)點N2連接于所述連接節(jié)點N5。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶補償電路的LDO電路，其特征在于，所述補償電路包括放大器A2，放大器A3，晶體管M7和晶體管M8，所述放大器A2的電路中包括以電流鏡方式連接的晶體管M3和晶體管M4，所述放大器A3的電路中包括以電流鏡方式連接的晶體管M5和晶體管M6，所述放大器A2和放大器A3之間形成輸入節(jié)點N1，所述輸入節(jié)點N1連接于所述連接節(jié)點N6，所述放大器A2的放大端口連接于所述晶體管M7的柵端，所述晶體管M7的源端連接于模擬電源AVDD，所述放大器A3的放大端口連接于所述晶體管M8的柵端，所述晶體管M8的漏端模擬接地AVSS，所述晶體管M7的漏端連接于所述晶體管M8的柵端，所述晶體管M7的漏端與所述晶體管M8的柵端之間形成輸出節(jié)點N2，所述輸出節(jié)點N2連接于所述連接節(jié)點N5。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶補償電路的LDO電路，其特征在于，所述放大器A2包括晶體管M1、晶體管M3、晶體管M4、晶體管M9和晶體管M11；

所述晶體管M1為所述放大器A2的輸入管，所述晶體管M1的柵端連接于所述連接節(jié)點N6，

所述晶體管M9是二極管連接形式的晶體管，所述晶體管M9的源端連接于模擬電源AVDD，所述晶體管M9的柵端和漏端與所述晶體管M1的源端相連，

所述晶體管M3和所述晶體管M4構(gòu)成電流鏡，

所述晶體管M11的柵端連接于恒定的直流偏置電壓VBIAS1，使流過所述晶體管M11的電流與流過所述晶體管M4的電流相等，

所述晶體管M11的漏端和所述晶體管M4的漏端分別與所述晶體管M8的柵端相連，并且，所述晶體管M11和所述晶體管M4的漏端分別與所述晶體管M8的柵端的連接處形成連接節(jié)點N3。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的帶補償電路的LDO電路，其特征在于，所述放大器A2為單輸入單輸出、放大倍數(shù)為正的放大器。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶補償電路的LDO電路，其特征在于，所述放大器A3包括晶體管M2、晶體管M5、晶體管M6、晶體管M10和晶體管M12；

所述晶體管M2為所述放大器A3的輸入管，所述晶體管M2的柵端連接于所述連接節(jié)點N6，

所述晶體管M10是二極管連接形式的晶體管，所述晶體管M10的源端連接于模擬電源AVDD，所述晶體管M10的柵端和漏端與所述晶體管M2的源端相連，

所述晶體管M5和所述晶體管M6構(gòu)成電流鏡，

所述晶體管M12的柵端連接于恒定的直流偏置電壓VBIAS2，使流過所述晶體管M12的電流與流過所述晶體管M6的電流相等，

所述晶體管M12的漏端和所述晶體管M6的漏端分別與所述晶體管M8的柵端相連，并且，所述晶體管M11和所述晶體管M4的漏端分別與所述晶體管M7的柵端的連接處形成連接節(jié)點N4。

6.根據(jù)權(quán)利要求2或5所述的帶補償電路的LDO電路，其特征在于，所述放大器A3為單輸入單輸出、放大倍數(shù)為正的放大器。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶補償電路的LDO電路，其特征在于，所述補償電路還包括電容C3和C4，所述電容C3連接于所述晶體管M6的漏端和所述晶體管M7的漏端之間，所述電容C4連接于所述晶體管M4的漏端和晶體管M8的漏端之間。