[發明專利]絕緣柵雙極晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 201110316136.X
• 申請日: 2011-10-18
• 公開（公告）號: CN103065962A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 程曉華;彭虎;肖勝安
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/268
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種絕緣柵雙極晶體管的制造方法，在硅襯底上進行絕緣柵雙極晶體管的正面工藝，之后進行背面工藝，其特征在于，所述背面工藝包括如下步驟：

步驟一、對所述硅襯底的背面進行N型離子注入形成N型緩沖層；

步驟二、將一固體掩模板置于所述硅襯底的背面和激光光源之間的且能被激光光束垂直照射的位置上，在所述固體掩模板上形成有由激光能穿過的通過區域和激光被阻擋的阻擋區域組成的掩模板圖形；

步驟三、使激光光束穿過所述固體掩模板對激光照射區域的所述N型緩沖層進行退火，并在所述N型緩沖層上形成由高活化區域和低活化區域組成的圖形結構，該圖形結構和所述掩模板圖形相同；其中，所述高活化區域由穿過所述通過區域的激光照射到所述N型緩沖層上后進行退火形成；穿過所述阻擋區域的激光會被所述固體掩模板擋住而被反射和吸收，最后照射到所述N型緩沖層的激光能量會降低，能量降低后的激光對其照射區域的所述N型緩沖層進行退火形成所述低活化區；

步驟四、改變所述激光光束穿過所述固體掩模板后照射到所述硅襯底背面的位置，實現對所述硅襯底上的不同區域的所述N型緩沖層進行退火，最后實現對所述硅襯底上的全部區域的所述N型緩沖層進行退火。

2.如權利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管的制造方法，特征在于：根據所要形成的所述高活化區域和所述低活化區域組成的圖形結構來定義所述固體掩模板的所述通過區域和所述阻擋區域的圖形結構，所述高活化區域和所述低活化區域組成的圖形結構為條狀交替排列的結構。

3.如權利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管的制造方法，特征在于：所述固體掩模板的材質為熔點大于等于硅的固體材質。

4.如權利要求3所述的絕緣柵雙極晶體管的制造方法，特征在于：所述固體掩模板的材質為金剛石，鉻合金，鎳合金。

5.如權利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管的制造方法，特征在于：步驟四中通過固定所述硅襯底，使所述固體掩模板和激光束位置一起相對于所述硅襯底移動來改變所述激光光束穿過所述固體掩模板后照射到所述硅襯底背面的位置。

6.如權利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管的制造方法，特征在于：步驟四中通過固定所述固體掩模板和激光束位置，使所述硅襯底相對于所述固體掩模板和激光束位置移動來改變所述激光光束穿過所述固體掩模板后照射到所述硅襯底背面的位置。