[發明專利]半導體存儲器件及其操作方法有效
| 申請號: | 201110316089.9 | 申請日: | 2011-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN102456415A | 公開(公告)日: | 2012-05-16 |
| 發明(設計)人: | 樸鎮壽 | 申請(專利權)人: | 海力士半導體有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/44 | 分類號: | G11C29/44;G11C7/10 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放;許偉群 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 存儲 器件 及其 操作方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請要求2010年10月27日提交的韓國專利申請號為10-2010-0105340的優先權,其全部內容通過引用合并于此。
技術領域
本發明的示例性實施例涉及一種半導體存儲器件,更具體地,涉及一種執行修復操作的半導體存儲器件。
背景技術
如果在制造半導體存儲器件時發現有缺陷的存儲器單元,則所述半導體存儲器件會被視為不良產品,并且如果因少數缺陷存儲器單元的存在而丟棄整個半導體存儲器件,則會導致半導體存儲器件的成品率的下降。
因此,半導體存儲器件還配備有保留的單位存儲器單元,用保留的單位存儲器單元來替換有缺陷的單位存儲器單元,使得半導體存儲器件即使存在有缺陷的單位存儲器單元也是可用的。
如果半導體存儲器件中存在有缺陷的列,則可以執行列修復操作以便用冗余列來替換有缺陷的列。
同時,為了增加數據輸入/輸出(I/O)速度,可以使用一種通過增加內部數據線的數量而將存儲器陣列分成多個組的寬I/O(wide?I/O)方法。根據所述寬I/O方法,由于即使相同的數據線由所述組所共用,也不會在所述組中使用冗余列,因此當冗余列不足時,可能會對一些組中的修復操作造成限制。
發明內容
根據示例性實施例,在輸入數據之后或在輸出數據之前,執行額外的修復操作,使得在寬I/O方法中不同的組可以共用冗余列。因此,可以提高修復操作的效率。
根據本發明一個方面,一種半導體存儲器件包括:第一存儲器組和第二存儲器組,所述第一存儲器組和所述第二存儲器組每個都包括存儲器單元和冗余存儲器單元;分配給第一存儲器組的第一主頁緩沖器和分配給第二存儲器組的第二主頁緩沖器,其中第一主頁緩沖器和第二主頁緩沖器被配置成每個都儲存用于各個存儲器組的存儲器單元的編程操作或讀取操作的數據;分配給第一存儲器組的至少一個第一冗余頁緩沖器和分配給第二存儲器組的至少一個第二冗余頁緩沖器,其中第一存儲器組的所述至少一個冗余頁緩沖器和第二存儲器組的所述至少一個冗余頁緩沖器每個都被配置成將用于各個存儲器組的缺陷列的數據儲存在各個存儲器組的至少一個冗余存儲器單元中;以及數據傳輸電路,所述數據傳輸電路被配置成在編程操作之前將數據從第一主頁緩沖器中與第一存儲器組的缺陷列相對應的第一主頁緩沖器傳輸至所述至少一個第二冗余頁緩沖器,以及在讀取操作之后將所述至少一個第二冗余頁緩沖器的數據傳輸至與第一存儲器組的缺陷列相對應的第一主頁緩沖器。
根據本發明另一個方面,一種操作半導體存儲器件的方法包括以下步驟:對第一存儲器組相對應的第一主頁緩沖器和至少一個第一冗余頁緩沖器、以及對與第二存儲器組相對應的第二主頁緩沖器和至少一個第二冗余頁緩沖器輸入數據;當第一存儲器組內的缺陷列的數量大于第一存儲器組內利用所述至少一個冗余頁緩沖器可修復的缺陷列的總數時,將輸入至第一主頁緩沖器中與第一存儲器組的缺陷列相對應的第一主頁緩沖器的數據傳輸至第二冗余頁緩沖器;以及執行用于將第一主頁緩沖器和第二主頁緩沖器的數據、所述至少一個第一冗余頁緩沖器和所述至少一個第二冗余頁緩沖器的數據儲存在第一存儲器組和第二存儲器組的存儲器單元和冗余存儲器單元中的編程操作。
根據本發明又一個方面,一種操作半導體存儲器件的方法包括以下步驟:將從第一存儲器組讀取的數據儲存在第一主頁緩沖器和至少一個第一冗余頁緩沖器中,并將從第二存儲器組讀取的數據儲存在第二主頁緩沖器和至少一個第二冗余頁緩沖器中;當第一存儲器組內的缺陷列的總數大于第一存儲器組內利用所述至少一個冗余頁緩沖器可修復的缺陷列的總數時,用儲存在所述至少一個第二冗余頁緩沖器中的數據來替換儲存在第一主頁緩沖器之中與第一存儲器組的缺陷列相對應的第一主頁緩沖器中的數據;以及經由第一內部數據線輸出第一主頁緩沖器和所述至少一個第一冗余頁緩沖器的數據,并經由第二內部數據線輸出第二主頁緩沖器和所述至少一個第二冗余頁緩沖器的數據。
附圖說明
圖1是說明根據本發明第一示例性實施例的操作半導體存儲器件的方法的示意框圖;
圖2A和圖2B是說明根據本發明第一示例性實施例的操作半導體存儲器件的方法的流程圖;
圖3A和圖3B是說明根據本發明第二示例性實施例的半導體存儲器件的電路圖;以及
圖4A和圖4B是說明操作根據本發明第二示例性實施例的半導體存儲器件的方法的流程圖。
具體實施方式
下面將參考附圖詳細描述本發明的一些示例性實施例。提供附圖以使本領域普通技術人員能夠實施和使用本發明的實施例。
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