[發明專利]像素單元，陣列基板、液晶面板、顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201110315240.7
• 申請日: 2011-10-17
• 公開（公告）號: CN102645803A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 金熙哲;徐超
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1335;G02F1/13357;G02F1/1333;H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 蔣雅潔;王黎延

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種像素單元、陣列基板、液晶面板、顯示裝置及其制造方法。?

背景技術

液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display，LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，現已占據了平面顯示領域的主導地位。薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，TFT-LCD)是目前主流的液晶顯示器，其液晶面板包括陣列基板和彩膜基板。其中，陣列基板上設有柵線，垂直于所述柵線設有數據線，所述柵線和所述數據線之間限定有像素區域，所述像素區域內設有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數據線連接、漏極與所述像素電極連接。?

陣列基板是液晶顯示的關鍵部件，而由薄膜晶體管和像素電極等構成的像素單元則是陣列基板的重要組成部分。傳統的TN模式具有視角相對較小，無法滿足高品質顯示需求等特點。?

ADSDS(ADvanced?Super?Dimension?Switch)，簡稱ADS，即高級超維場轉換技術，通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push?Mura)等優點。在TFT-LCD近幾年的生產過程中，ADS寬視角技術是一種先進的、可以有效擴大視角的技術方案，已廣泛用于各大廠商的生產中。?

傳統的ADS的像素單元結構為：包括一個薄膜晶體管和像素電極以及公共電極，其中，像素電極位于公共電極之上；一般情況下，像素電極位于最上層與薄膜晶體管的漏極相連接，公共電極位于最底層，與公共電極線相連。雖然，傳統的ADS型液晶面板相對于傳統的TN型，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push?Mura)等優點。但是，傳統的ADS由于自身的特點，其開口率仍然較小，無法滿足高品質顯示的需求。?

發明內容

本發明的實施例對傳統的ADS進行了改進，提供一種新的I-ADS形式的像素單元，陣列基板、液晶面板、顯示裝置及其制造方法，以提高像素開口率、降低功耗、并提高顯示品質。?

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：?

本發明實施例提供一種像素單元，包括薄膜晶體管、像素電極和公共電極，所述薄膜晶體管包括柵極、設置于所述柵極之上的柵絕緣層、設置于所述柵絕緣層之上有源層、設置于所述有源層之上的源極和漏極、以及設置于所述源極和漏極之上的鈍化層，其特征在于，所述公共電極直接設置在所述鈍化層之上；所述像素電極設置在所述鈍化層之下，并與所述薄膜晶體管的漏極相連接。?

進一步地，所述像素電極與所述柵極設置在同一層，所述鈍化層和所述像素電極之間設置有柵絕緣層，與所述公共電極同層的金屬通過兩個過孔分別連接所述薄膜晶體管的漏極和所述像素電極。?

進一步地，所述公共電極為狹縫狀，所述像素電極為板狀。?

進一步地，所述與所述公共電極同層的連接電極與所述公共電極為同一材料。?

進一步地，所述像素電極和/或所述公共電極為透明電極。?

進一步地，所述公共電極為ITO或IZO的單層膜，或者為ITO和IZO組成的復合膜。?

進一步地，所述鈍化層為氧化物、氮化物、氮氧化物或有機樹脂。?

本發明實施例還提供一種陣列基板，包括基板，所述基板上設有柵線，垂直于所述柵線設有數據線，所述柵線和所述數據線之間限定有像素區域，其特征在于，所述像素區域包括上述的像素單元，其中，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接，所述薄膜晶體管的源極與所述數據線連接。?

進一步地，所述像素單元的上方和下方均設置有柵線，所述像素單元的左側和右側均設置有數據線，且每相鄰兩行的像素單元之間僅設置有一條柵線，每相鄰兩列像素單元之間設置有一條數據線。?

進一步地，所述像素單元的上方和下方均設置有柵線，且每相鄰兩行所述像素單元之間設置有兩條柵線；所述像素單元的左側或右側設置有數據線，且每相鄰兩條數據線之間包括兩列所述像素單元。?

進一步地，所述薄膜晶體管的柵極與其所在的像素單元上方或下方的柵線連接，所述薄膜晶體管的源極與其所在的像素單元左側或右側的數據線連接，實現Z反轉的像素結構。?