[發明專利]提高寫入速度的浮體動態隨機存儲器單元及其制作方法

有效

• 申請號: 201110314346.5
• 申請日: 2011-10-17
• 公開（公告）號: CN102446928A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 俞柳江
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/84;H01L21/265
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種提高寫入速度的浮體動態隨機存儲器單元，包括：形成在底層硅上的氧埋層，所述氧埋層上方設置有若干第一MOS管和第二MOS管，每一個MOS管底部為襯底，襯底的兩端接觸淺溝槽隔離，所述襯底靠近所述淺溝槽隔離的上端分別設置有源端和漏端，所述源端和漏端之間的襯底上具有溝道，所述溝道的上方設置有柵極，所述柵極位于所述MOS管兩端淺溝槽之間正中位置，其特征在于：?

所述漏端遠離所述淺溝槽隔離的一側具有第一摻雜離子區域，所述源端遠離所述淺溝槽隔離的一側具有第二摻雜離子區域，所述第一摻雜離子區域的面積比所述第二摻雜離子區域的面積大；

所述柵極與所述漏端在豎直方向上的交疊區域比所述柵極與源端在豎直方向上的交疊區域大；

所述第一摻雜離子區域與溝道之間的距離比所述第二摻雜離子區域與溝道之間的距離短。

2.根據權利要求1所述的高寫入速度浮體動態隨機存儲器單元，其特征在于，第一MOS管中的摻雜離子為五價元素，所述第一MOS管為NMOS管，所述第二MOS管中的摻雜離子為三價元素，所述第二MOS管為PMOS管。

3.一種權利要求1所述的高寫入速度存儲器單元的制作方法，先在襯底上形成若干間隔的P阱和N阱用以制作第一MOS管和第二MOS管，相鄰的N阱和P阱之間用一淺溝槽隔離，在所述N阱上形成第一多晶硅柵，在所述P阱上形成第二多晶硅柵，接著進行輕摻雜漏注入工藝，其特征在于，所述輕摻雜漏注入工藝采用斜角注入的方式，注入的方向為從與MOS管漏端呈銳角指向MOS管源端方向。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述輕摻雜漏注入工藝包括如下步驟：

淀積第一阻擋層覆蓋第一MOS管和第二MOS管，再刻蝕去除覆蓋在第二MOS管上方的第一阻擋層部分，使第二MOS管暴露；

斜向注入三價元素；

淀積第二阻擋層覆蓋剩余的第一阻擋層和暴露第二MOS管，再刻蝕去除覆蓋在第一MOS管上方的第一阻擋層部分，使第一MOS管暴露；

斜向注入五價元素。

5.根據權利要求3或4所述的制作方法，其特征在于，所述所述第一MOS管為NMOS管，所述第二MOS管為PMOS管。