[發明專利]一種硅片預清洗工藝

有效

• 申請號: 201110314257.0
• 申請日: 2011-10-17
• 公開（公告）號: CN102368468A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發明（設計）人: 王虎;靳建光;查達其;姚琪;陸波
• 申請（專利權）人: 浙江貝盛光伏股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L31/18;B08B3/08
• 代理公司: 湖州金衛知識產權代理事務所(普通合伙) 33232
• 代理人: 裴金華

1.一種硅片預清洗工藝，其特征在于：包括以下步驟：

浸潤處理，將硅片放入浸潤液中，將浸潤液加熱至55~75℃，浸潤200~600s；其中，浸潤液中包括占其總體積2~6%的異丙醇和占其總體積2~8‰的表面活性劑；

一次沖洗，使用去離子水對浸潤完成后的硅片進行沖洗，沖洗時間為100~300s，其中，去離子水的溫度為40~70℃；

氧化處理，將一次沖洗后的硅片放入氧化液中，將氧化液加熱至50~59℃，氧化200~500s，其中，氧化液為弱堿性溶液；

二次沖洗，使用去離子水對氧化處理后的硅片進行沖洗，沖洗時間為100~300s，其中，去離子水的溫度為40~70℃。

2.根據權利要求1所述硅片預清洗工藝，其特征在于：步驟a中，所述表面活性劑包括有占其質量0．001%～3%的葡萄糖、葡萄糖酸鈉或葡萄糖酸鉀，100ppb～8000ppb的聚氧乙烯醚，0．001%～2%的乳酸鈉或檸檬酸鈉，0．001%～2%的丙二醇，0．01%～6%的硅酸鈉，0．001%～2%的碳酸鈉或碳酸氫鈉，其余為水。

3.根據權利要求1所述硅片預清洗工藝，其特征在于：步驟c中，所述氧化液中包括有占其總體積2~5%的氨水、占其總體積3~8%的過氧化氫。

4.根據權利要求1所述硅片預清洗工藝，其特征在于：浸潤時浸潤液中設置并開啟有超聲裝置，所述超聲裝置的超聲波頻率為20~30KHZ。

5.根據權利要求1所述硅片預清洗工藝，其特征在于：浸潤時浸潤液中設置并開啟有超聲裝置，所述超聲裝置的超聲波的頻率為30~40KHZ。

6.根據權利要求1所述硅片預清洗工藝，其特征在于：步驟a中，初始浸潤液配制200~300L，每清洗2000片硅片，在浸潤液中補加異丙醇2~10L，補加添加劑30~100ml。