[發明專利]半導體用粘接膜、以及半導體芯片、半導體裝置的制造方法

無效

• 申請號: 201110314139.X
• 申請日: 2008-10-07
• 公開（公告）號: CN102361016A
• 公開（公告）日: 2012-02-22
• 發明（設計）人: 畠山惠一;中村祐樹
• 申請（專利權）人: 日立化成工業株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;B23K26/40
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種半導體用粘接膜，其具有1～15μm范圍的厚度，具有小于5％ 的拉伸斷裂伸長率，且該拉伸斷裂伸長率小于最大負荷時的伸長率的 110％，其用于帶粘接膜半導體芯片的制造方法，所述帶粘接膜半導體芯片 的制造方法具備以下工序：

準備層疊體的工序，其將半導體晶片、半導體用粘接膜及切割帶依此 順序層疊，其中，所述半導體用粘接膜具有1～15μm范圍的厚度、具有小 于5％的拉伸斷裂伸長率、且該拉伸斷裂伸長率小于最大負荷時的伸長率的 110％，所述半導體晶片具有由激光照射而形成的用于將所述半導體晶片分 割為多個半導體芯片的改性部；

將所述切割帶沿所述多個半導體芯片相互分離的方向拉伸，從而不分 割所述半導體用粘接膜地將所述半導體晶片分割為所述多個半導體芯片 的工序；以及

將所述多個半導體芯片分別沿所述層疊體的層疊方向拾起，從而分割 所述半導體用粘接膜，得到帶粘接膜半導體芯片的工序。