[發明專利]一種共柵共源多漏極的碳納米管導電溝道場效應晶體管

有效

• 申請號: 201110313866.4
• 申請日: 2011-10-16
• 公開（公告）號: CN102361029A
• 公開（公告）日: 2012-02-22
• 發明（設計）人: 張志勇;翟春雪;鄧周虎;王若錚;陳騫;趙武;王雪文;閆軍鋒
• 申請（專利權）人: 西北大學
• 主分類號: H01L27/07
• 分類號: H01L27/07;H01L29/78
• 代理公司: 西安恒泰知識產權代理事務所 61216
• 代理人: 李鄭建

1.一種共柵共源多漏極的碳納米管導電溝道場效應晶體管，其特征在于，包括位于最底 端的襯底，該襯底是呈現P型導電性的硅單晶片，同時作為背柵電極；襯底上是已知厚度和 介電常數的絕緣層，在絕緣層上有由一個源極和相互獨立的兩個或兩個以上的漏極組成的電 極組，其中，兩個或兩個以上的漏極與源極之間由碳納米管網絡相連接，構成共柵、共源極 的兩組或多組導電溝道。

2.如權利要求1所述的共柵共源多漏極的碳納米管導電溝道場效應晶體管，其特征在于， 所述的源極是由用于鍵合引線的導電區域以及與其相連接的兩個或兩個以上的溝道一側的導 電區域構成。

3.如權利要求1所述的共柵共源多漏極的碳納米管導電溝道場效應晶體管，其特征在于， 所述的漏極均由用于鍵合引線的導電區域以及與源電極對應的溝道另一側的導電區域構成。

4.如權利要求1～3其中之一所述的共柵共源多漏極的碳納米管導電溝道場效應晶體管， 其特征在于，兩組或兩組以上的導電溝道之間具有相互調控的能力，即一組導電溝道的漏源 電壓的變化可以引起其它組導電溝道的漏源電流的變化。