[發明專利]具有可擴展性漂移區電阻的高壓晶體管模型方法

無效

• 申請號: 201110312430.3
• 申請日: 2011-10-14
• 公開（公告）號: CN103049589A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 武潔
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 張驥

技術領域

本發明涉及一種高壓晶體管模型方法，具體涉及一種具有可擴展性漂移區電阻的高壓晶體管模型方法。

背景技術

用于高壓集成電路設計的高壓晶體管一般分為高壓MOS和高壓LDMOS兩種。目前用于提高高壓晶體管耐壓的方法有兩種：其一，場板技術的引入可以均勻表面電場，從而提高器件擊穿電壓；其二，在耐壓側(漏側或源漏兩側)引入輕摻雜漂移區，通過漂移區耗盡以提高器件的擊穿電壓。

如圖1所示，為提高器件的擊穿電壓，在高壓MOS的源側和漏側引入輕摻雜漂移區；如圖2所示，在高壓LDMOS的漏側引入輕摻雜漂移區。

但是，場板技術同時會引入較大的交疊電容(Overlap電容)，漂移區大的電阻特性也會帶來高壓器件獨特的高壓特性。如何精確模擬場板技術及漂移區特性是高壓器件建模的關鍵之處。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種具有可擴展性漂移區電阻的高壓晶體管模型方法，它可以精確模擬漂移區電阻特性。

為解決上述技術問題，本發明具有可擴展性漂移區電阻的高壓晶體管模型方法的技術解決方案為，包括以下步驟：

第一步，按照器件結構，將漏側漂移區分為三部分：溝道有源區下的漂移區Loverld、場氧下的漂移區Ldrift1和漏極有源區下的漂移區Ldrift2；將源側漂移區也分為三部分：溝道有源區下的漂移區Lovers、場氧下漂移區Ldrifts1和源極有源區下的漂移區Ldrifts2；

第二步，精確模擬每部分漂移區的電阻特性；

采用下述公式模擬器件的柵源電壓Vgs、漏源電壓Vds和體源電壓Vbs對漂移區電阻特性的影響；

Rdrift=RDVD(1+RDVG1-RDVG1RDVG2Vgs)×(1-Vbs×RDVB)×VdsRDVD1×(LdriftDdrift-Wdep))---(1)]]>

并采用下述公式模擬器件溝道長度、溝道寬度及漂移區各部分尺寸對漂移區電阻的影響；