[發明專利]一種采用SiGe HBT工藝的寄生PNP器件結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201110311540.8
• 申請日: 2011-10-14
• 公開（公告）號: CN103050517A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 劉冬華;段文婷;錢文生;胡君;石晶
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/737
• 分類號: H01L29/737;H01L29/06;H01L21/331
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種采用SiGe?HBT工藝的寄生PNP器件結構的制作方法，其特征是，包括以下步驟：

(1)在P型襯底刻蝕淺溝槽作隔離；

(2)在淺槽底部注入硼離子經過熱處理后形成N型贗埋層；

(3)在淺槽底部注入磷離子經過熱處理后形成P型贗埋層；

(4)在P型襯底進行集電區注入；

(5)在集電區上方形成外延層；

(6)自外延層通過接觸孔引出發射極，自N型贗埋層通過深接觸孔引出基極，自P型贗埋層通過深接觸孔引出集電極。

2.如權利要求1所述的制作方法，其特征是：步驟(2)中，注入劑量為1¹⁴cm^-2至1¹⁶cm^-2，能量小于15keV的磷離子。

3.如權利要求1所述的制作方法，其特征是：步驟(3)中，注入劑量為1¹⁴cm^-2至1¹⁶cm^-2，能量小于15keV的硼或者氟化硼。

4.如權利要求1所述的制作方法，其特征是：步驟(4)中，注入劑量為5e11至5e13，能量為50kev至500kev的磷或砷。

5.一種采用SiGe?HBT工藝的寄生PNP器件結構，包括P型襯底，P型襯底上形成有集電區，所述集電區上形成有外延層，發射極通過接觸孔自外延層引出，其特征是：

所述P型襯底上部具有N型贗埋層連接所述集電區，自N型贗埋層通過深接觸孔引出基極；所述P型襯底上部具有P型贗埋層，自P型贗埋層通過深接觸孔引出集電極。

6.如權利要求5所述的器件結構，其特征是：所述P型贗埋層注入硼或者氟化硼。

7.如權利要求5所述的器件結構，其特征是：所述N型贗埋層注入磷。

8.如權利要求5所述的器件結構，其特征是：集電區注入為磷或砷。

9.如權利要求5所述的器件結構，其特征是：所述外延層注入為硼或氟化硼。