[發明專利]一種采用SiGe HBT工藝的MOS可變電容及其制作方法

有效

• 申請號: 201110311539.5
• 申請日: 2011-10-14
• 公開（公告）號: CN102412313A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 劉冬華;段文婷;錢文生;胡君;石晶
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/94
• 分類號: H01L29/94;H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種采用SiGe?HBT工藝的MOS可變電容，包括輕摻雜的P型襯底上形成有集電區，所述集中電區上形成有介質層，所述介質層上形成有多晶硅層，其特征是：

所述多晶硅層由接觸孔引出作為MOS可變電容的一端，所述輕摻雜的P型襯底上部形成有N型贗埋層連接所述集電區，所述N型贗埋層由深接觸孔引出作為MOS可變電容的另一端。

2.如權利要求1所述的MOS可變電容，其特征是：所述多晶硅層注入雜質為磷或砷。

3.如權利要求1所述的MOS可變電容，其特征是：所述集電區注入雜質為磷或砷。

4.如權利要求1所述的MOS可變電容，其特征是：所述介質層厚度為5納米至30納米。

5.一種采用SiGe?HBT工藝的MOS可變電容的制作方法，包括以下步驟：

(1)在輕摻雜的P型襯底刻蝕淺槽用作隔離；

(2)進行N型贗埋層注入；

(3)進行集電區注入；

(4)在集電區上形成氧化層；

(5)在氧化層上形成外延層；

(6)刻蝕去除外延層和氧化層；

(7)在集電區上形成介質層；

(8)沉積多晶硅層；

(9)將多晶硅層利用接觸孔引出，將N型贗埋層利用深接觸孔引出。

6.如權利要求5所述的制作方法，其特征是：實施步驟(3)時，注入雜質為磷或砷，注入能量為50Kev～500Kev，劑量為5e1lcm^-2～5e13cm^-2。

7.如權利要求5所述的制作方法，其特征是：實施步驟(7)時，所述介質層厚度為5納米至30納米。

8.如權利要求5所述的制作方法，其特征是：實施步驟(8)時，注入雜質為磷或砷，注入能量為50Kev至500Kev，劑量為1e14cm^-2至1e17cm^-2。