[發(fā)明專利]一種觸摸屏用防指紋膜的制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110311330.9
• 申請(qǐng)日: 2011-10-14
• 公開（公告）號(hào): CN102352489A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊磊;于甄;蔡榮軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南昌歐菲光科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/40
• 分類號(hào): C23C16/40;C23C16/505;C23C14/02
• 代理公司: 南昌新天下專利商標(biāo)代理有限公司 36115
• 代理人: 施秀瑾

1.一種觸摸屏用防指紋膜的制備方法，其特征在于，其包括如下的步驟：

步驟1：將潔凈的強(qiáng)化玻璃基材放入PECVD沉積室中，通過(guò)O₂和Ar輝光放電對(duì)玻璃基材進(jìn)行刻蝕與活化;?

其中所述的強(qiáng)化玻璃基材放入PECVD真空室內(nèi)時(shí)，開始抽真空至壓力為10^-3mbar，然后給真空室注入氣體流量為500sccm的?O₂和300sccm的Ar至真空室的壓力為1.0×10^-4~2.0×10^-2mbar之間，加中頻功率為6000w，然后5s內(nèi)升至8000w放電啟輝30s;

步驟2：利用硅氧烷高溫裂解形成SiO_x，在離子清洗和刻蝕后的強(qiáng)化玻璃基材表面沉積SiO_x緩沖層;

其中所述的離子清洗和刻蝕完成后，抽真空至壓力為5.0×10^-3mbar，然后充入氣體流量為500sccm的O₂和100sccm的硅油至真空室內(nèi)壓力為1.0×10^-4~5.0×10^-1mbar之間，持續(xù)中頻功率為8000w開始沉積SiO_x，沉積時(shí)間為30s，得到厚度為10-20nm的SiO_x緩沖層;

步驟3：通過(guò)O₂輝光放電，對(duì)SiO_x緩沖層進(jìn)行刻蝕、剝離附著力較差的SiO_x和補(bǔ)充O形成SiO₂緩沖層；

其中步驟2中所述的SiO_x沉積完成后，抽真空至壓力為1.0×10^-2mbar，持續(xù)充入氣體流量為500sccm的O₂至真空室內(nèi)壓力為1.0×10^-4~5.0×10^-1mbar之間，持續(xù)中頻功率為8000w放電起輝30s，起到刻蝕SiO_x表面、剝離附著力較差的SiO_x和為SiO_x補(bǔ)充O形成SiO₂緩沖層的作用;

步驟4：利用熱蒸發(fā)法在O₂輝光放電后形成的SiO₂緩沖層表面沉積觸摸屏用防指紋膜;

其中步驟3中所述的刻蝕SiO_x表面、剝離附著力較差的SiO_x和為SiO_x補(bǔ)充O形成SiO₂緩沖層完成后，抽真空至壓力為10^-5mbar，30s內(nèi)將燈絲電流由0A提升至270A，開始沉積觸摸屏用防指紋膜，沉積時(shí)間為150s，得到厚度為10-30nm的觸摸屏用防指紋膜層。