[發明專利]一種提高電磁爐功率的方法及其電路無效
| 申請號: | 201110311315.4 | 申請日: | 2011-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN102361524A | 公開(公告)日: | 2012-02-22 |
| 發明(設計)人: | 劉俊;張雁 | 申請(專利權)人: | 劉俊;張雁 |
| 主分類號: | H05B6/06 | 分類號: | H05B6/06 |
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| 地址: | 212000 江蘇省鎮江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 電磁爐 功率 方法 及其 電路 | ||
技術領域
本發明涉及電磁爐技術領域,特別涉及一種提高電磁爐功率的方法及其實現電路。
背景技術
目前的電磁爐的功率一般是2KW左右,如果功率繼續增加,會使IGBT的諧振電壓增加,超過IGBT的安全電壓,導致損壞。
現有技術條件下,如果在不增加諧振電壓的前提下,提高電磁爐功率有兩種方法,一是增加諧振電容,二是減小電磁爐線盤的電感量,但這兩種方法,都會使諧振回路的品質因數降低,造成電磁爐只能工作在較大功率情況下,稍小功率,容易產生無法完成諧振的情況,不能正常工作。
因此,設計一種能在不增加電磁爐諧振電壓,不改變現有電磁爐諧振電容和線盤電磁量的情況下提高電磁爐功率的方法是本領域技術人員一個亟需解決的問題。
發明內容
本發明的目的是提供一種提高電磁爐功率的方法,采用本發明的方案能在不增加電磁爐諧振電壓,不改變現有電磁爐諧振電容和線盤電磁量的情況下,僅靠采用不同的驅動方法,就能將功率提高20%左右。
本發明的技術方案是:
一種提高電磁爐功率的方法,包括如下步驟:
(1)由諧振電壓電流檢測電路采集諧振電壓送入微處理器CPU檢測,CPU通過測量諧振電壓進而計算IGBT的導通電流;
(2)CPU實時監測IGBT的導通電流,當CPU檢測到IGBT的導通電流小于設定值,CPU就增加驅動控制電路的驅動脈沖寬度,IGBT在較寬的脈沖寬度下驅動;
(3)當CPU檢測到IGBT的導通電流達到設定值,CPU通過控制驅動控制電路立即關斷IGBT,并且CPU控制在下一個脈沖開通IGBT時,降低IGBT的開通時間,確保IGBT不會過電流。
實現上述方法的提高電磁爐功率的電路,包括:整流電路BD、電磁爐線盤L1、諧振電容C1、濾波電容C2、諧振電壓電流檢測電路、IGBT及其驅動控制電路,電磁爐線盤L1一端接整流電路的輸出端,另一端與IGBT的C極、諧振電壓電流檢測電路連接,L1并聯諧振電容C1,諧振電壓電流檢測電路接驅動控制電路,驅動控制電路與IGBT的G極連接。
本發明的特征還在于所述諧振電壓電流檢測電路包括分壓電阻R1、R2以及微處理器CPU,所述電磁爐線盤L1一端接整流電路的輸出端,分壓電阻R1、R2連接在L1輸出端與地之間,R1、R2的公共端與CPU連接,CPU連接驅動控制電路。
本發明的特征還在于所述驅動控制電路包括三極管Q1和Q2,Q1的基極與Q2的基極連接,Q1、Q2集電極的公共端與CPU連接,Q2的集電極接地,Q1的發射極與Q2的發射極連接后的公共端與IGBT的G極連接。
本發明的特征還在于所述整流電路BD為四個二極管組成的橋式整流電路。
本發明的進行IGBT脈寬驅動時,使脈沖系列的占空比按與正弦規律相反的規律來安排。當正弦值為最大值時,IGBT驅動脈沖的寬度最小,反之,當正弦值較小時,IGBT驅動脈沖的寬度較大,這樣的電壓脈沖系列可以使在電源在正弦波變化期間,在正弦波低點時,能夠足夠導通IGBT,獲得較高諧振能量,而在正弦波高點時,采用較小的IGBT導通寬度,限制諧振電壓過高。
本發明能在不增加電磁爐諧振電壓,不改變現有電磁爐諧振電容和線盤電磁量的情況下,僅靠采用不同的驅動方法,就能將功率提高20%左右。并且能保證IGBT在任何脈沖時,都能夠工作在最大的功率輸出狀態,而不會產生超出安全電流或安全電壓的行為。
附圖說明
圖1是本發明的電路原理圖;
圖2是本發明實施例1的具體電路圖。
具體實施方式
根據附圖,對本發明進行詳細的敘述。
附圖2是本發明具體實施例1的電路圖,本實施例一種提高電磁爐功率的電路,包括:整流電路BD、電磁爐線盤L1、諧振電容C1、濾波電容C2、諧振電壓電流檢測電路、IGBT及其驅動控制電路。所述諧振電壓電流檢測電路包括分壓電阻R1、R2以及微處理器CPU,所述驅動控制電路包括三極管Q1和Q2。
如圖1所示;濾波電容C2接在整流電路的輸出端與地之間,電磁爐線盤L1一端接整流電路的輸出端,另一端與IGBT的C極、分壓電阻R1連接,L1并聯諧振電容C1,連接在L1輸出端與地之間的分壓電阻R1、R2,R1、R2的公共端與CPU連接,CPU接IGBT驅動控制電路,Q1的基極與Q2的基極連接,Q1的集電極與CPU連接,Q2的集電極接地,Q1的發射極與Q2的發射極連接,Q1的發射極與IGBT的G極連接,二極管D1并聯在IGBT的C極和E極之間。
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