[發明專利]一種IGBT驅動電路有效
| 申請號: | 201110310794.8 | 申請日: | 2011-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN102324835A | 公開(公告)日: | 2012-01-18 |
| 發明(設計)人: | 戴寶鋒 | 申請(專利權)人: | 廣東易事特電源股份有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/08 | 分類號: | H02M1/08 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 譚一兵 |
| 地址: | 523808 廣東省東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 igbt 驅動 電路 | ||
技術領域
?本發明涉及電源控制技術領域,尤其涉及一種IGBT驅動電路。
背景技術
眾所周知,IGBT(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)在運行過程中會有導通損耗和開關損耗發生,這些功耗通常表現為熱,必須采用散熱器將這些熱量從功率器件傳導到外部環境,如果散熱器設計不當,則這些功率器件將因過熱而可能導致損壞,所以在許多應用中,IGBT的最大可輸出功率往往受到熱設計的限制。
通常,IGBT的總平均損耗PT=Psat+Psw,其中Psat為IGBT的通態損耗,Psw為IGBT的開關損耗。
因此,減少IGBT損耗的辦法是降低IGBT?通態損耗或者開關損耗,而通態損耗一般由IGBT自身的飽和壓降Vce和流過其Ic電流決定,我們可以選擇較小飽和壓降的IGBT來降低通態損耗,但較小的飽和壓降的IGBT的抗短路電流能力卻很弱。
另一方面,因此可嘗試降低IGBT的開關損耗。而IGBT的驅動電阻Rg就是影響IGBT開關損耗的重要因素之一,Rg越小,IGBT柵極電容放電越快,開關時間越快,開關損耗就越低;相反,Rg越大,開關時間就越慢,開關損耗就越大。
然而,在另一方面,Rg較小時,IGBT開通和關斷時的di/dt(電流變化量)和dv/dt(電壓變化量)變大,影響IGBT的可靠工作,嚴重時可引起IGBT誤導通。加大Rg會增加開關損耗,但卻可以降低開關時的?dv/dt和di/dt。目前應用中,大多數采用的是折中的辦法進行改善,即采用不同的開通電阻Ron和關斷電阻Roff來實現降低開關損耗和抑制dv/dt。
如圖1所示,采用不同的Rg1和Rg2作為開通電阻和關斷電阻實現不同的開通時間和關斷時間,因IGBT的特性往往是開通時間小于關斷時間,所以一般Rg1會大于Rg2,從而增加開通時間,減小關斷時間,防止IGBT上下共同導通,Rg2的減小就會降小關斷時間,所以關斷損耗會相應降低。
但這種電路中,Rg2不能太小,否則IGBT關斷時的dv/dt會很高,必須借助于外部的多種吸收電路方能完成過電壓的抑制,不夠方便。
發明內容
本發明要解決的技術問題在于提供一種能夠快速實現IGBT快速關斷,并且抑制IGBT的電壓變化量過大的IGBT驅動電路。
一種IGBT驅動電路,包括:開通電阻、關斷電阻和開關輸入電路,其中,所述關斷電阻的電阻值小于所述開通電阻的阻值;所述開關輸入電路通過所述開通電阻連接至IGBT的柵極;所述關斷電阻一端連接至IGBT的柵極。所述IGBT驅動電路還包括互相連接的過電壓檢測電路和快速關斷控制電路;所述過電壓檢測電路連接所述IGBT的集電極,檢測所述IGBT的集電極電壓;所述快速關斷控制電路連接所述關斷電阻的另一端。當所述開關輸入電路輸入導通電平時,所述快速關斷控制電路控制所述關斷電阻的另一端斷開連接;當所述開關輸入電路輸入關斷電平時,所述快速關斷控制電路控制所述關斷電阻的另一端接地;當所述過電壓檢測電路檢測的所述IGBT的集電極電壓高于預設值時,所述快速關斷控制電路控制所述關斷電阻的另一端斷開連接。
一種IGBT驅動電路,包括:開通電阻、關斷電阻和開關輸入電路,其中,所述關斷電阻的電阻值小于所述開通電阻的阻值;所述開關輸入電路通過所述開通電阻連接至IGBT的柵極;所述關斷電阻一端連接至IGBT的柵極。所述IGBT驅動電路還包括互相連接的過電壓檢測電路和快速關斷控制電路;所述過電壓檢測電路連接所述IGBT的集電極,檢測所述IGBT的集電極電壓;所述快速關斷控制電路連接所述關斷電阻的另一端。所述快速關斷控制電路包括:NPN三極管和N型場效晶體管、第一電阻、第二電阻、第一二極管和第二二極管;所述NPN三極管的基極依次通過所述第一二極管的陰極、陽極、第一電阻和所述開通電阻連接所述IGBT的柵極,所述NPN三極管的發射極接地,其集電極依次通過所述第二二極管的陽極、陰極連接所述N型場效晶體管的柵極;所述第二二極管的陽極通過第二電阻連接電源;所述N型場效晶體管的漏極通過所述關斷電阻連接所述IGBT的柵極,所述N型場效晶體管的源極接地。所述過電壓檢測電路包括:比較器、第三電阻、第四電阻、第五電阻和第三二極管。所述比較器的反相端連接基準電壓,所述比較器的同相端通過第三電阻連接所述IGBT的集電極,并通過第四電阻接地,所述比較器的輸出端依次通過所述第三二極管的陽極、陰極連接至所述NPN三極管的基極;所述第三二極管的陽極通過第五電阻連接電源。
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉換以及用于與電源或類似的供電系統一起使用的設備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉換;以及它們的控制或調節
H02M1-00 變換裝置的零部件
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H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
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