[發明專利]一種高純化學品溶解器無效
| 申請號: | 201110310720.4 | 申請日: | 2011-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN102500251A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發明(設計)人: | 劉飛;楊毅;楊正光;陶志;孟文祥 | 申請(專利權)人: | 甕福(集團)有限責任公司 |
| 主分類號: | B01F1/00 | 分類號: | B01F1/00;B01F7/18;B01F15/02;B01F15/06 |
| 代理公司: | 貴陽中工知識產權代理事務所 52106 | 代理人: | 劉安寧 |
| 地址: | 550002 貴州省*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高純 化學品 溶解 | ||
技術領域
本發明涉及溶解裝置,具體來說涉及一種高純化學品溶解器。
背景技術
高純化學品是超大規模集成電路制作過程中的關鍵性基礎化工材料之一,主要用于芯片的清洗和腐蝕。它的純度和潔凈度對集成電路的成品率、電性能及可靠性都有著十分重要的影響。超凈高純化學品具有品種多、用量大、技術要求高、貯存有效期短和強腐蝕性等特點。
高純化學品中的堿金屬雜質(Na、Ca等)會溶進氧化膜中,從而導致耐絕緣電壓下降;若重金屬雜質(Cu、Fe、Cr、Ag等)附著在硅晶片的表面上,會使P-N結耐電壓降低。雜質分子或離子的附著又是造成腐蝕或漏電等化學故障的主要原因。因此,隨著微電子技術的飛速發展,對超凈高純化學品的要求也越來越高,不同級別超凈高純劑中的金屬雜質和顆粒的含量要求各不相同。
目前結晶法是高純化學品純化的方法之一,即首先將純度較高的化學品冷卻降溫結晶,然后利用一定的手段將進一步純化的晶體和雜質含量較高的母液進行分離,最后將晶體溶解成一定濃度的高純化學品。由于高純化學品的強腐蝕性,在溶解過程中,高純化學品容易對溶解設備造成一定的腐蝕,從而導致產品產生二次污染。
發明內容
本發明的目的在于克服上述高純化學品在溶解過程中腐蝕設備而提供的一種溶解器,以便高純化學品充分溶解,同時不會對產品產生二次污染。
本發明提供的溶解器,它的上部分為圓柱形,下部分為錐形結構;溶解器內壁有一采用高純塑料制作的內襯,以達到防腐、潔凈的效果;溶解器內部設置有盤管,盤管上設有進出口,可由盤管通入介質,以滿足高純化學品溶解的需求;溶解器頂部設有液位計,便于觀察溶解器內液位;同時溶解器頂部設有多個物料加入口;溶解器內設有攪拌器;溶解器的側壁設置有取樣口,方便對高純化學品取樣分析;溶解器器壁開有密度計和溫度計插入孔。
上述攪拌器為變頻式攪拌器,可調速。
上述溶解器物料加入口2~4個。
上述溶解器取樣口1~3個。
上述溶解器溫度計插入孔2~4個。
本發明的有益效果是:①采用高純塑料作內襯有較好的耐腐蝕性,可以有效地避免高純化學品對溶解器的腐蝕,同時克服了其他材質帶入雜質離子的缺點;②溶解器的底部采用錐形結構,有效避免了不同批次的高純化學品之間的污染;③同時溶解器頂部設有多個物料加入口,便于原料加入、超純水加入和溶解器清洗,以便高純化學品達到混合的效果;④本溶解器也可用作不同高純化學品之間的混合器。
附圖說明
圖1為電子化學品溶解器的結構示意圖;
圖中1為盤管進口;2為溫度計插入孔;3為取樣口;4為溫度計插入孔;5為物料加入口;6為盤管出口;7為密度計插入孔;8為盤管;9為攪拌器;10為內襯;11為液位計插入孔;M為電動機。
具體實施方式
實施例1??
某廠所使用的高純化學品溶解器,如圖所示,其溶解器的上部分為圓柱形,下部分為錐形結構;溶解器內壁有一采用高純塑料制作的內襯10;溶解器內部設置有盤管8,盤管8上設有進口1和出口6;溶解器頂部設有液位計插入孔11;同時溶解器頂部設有2個物料加入口5;溶解器內設有攪拌器9,可調速;溶解器的側壁設置有1個取樣口3;溶解器器壁開有1個密度計插入孔7和2個溫度計插入孔2、4。
該溶解器的主要尺寸為:溶解器直徑2.2m,總高2.55m,其中圓柱高1.6m,錐體高0.95m。
實施例2
某廠所使用的高純化學品溶解器,如圖所示,其溶解器的上部分為圓柱形,下部分為錐形結構;溶解器內壁有一采用高純塑料制作的內襯10;溶解器內部設置有盤管8,盤管8上設有進口1和出口6;溶解器頂部設有液位計插入孔11;同時溶解器頂部設有4個物料加入口5;溶解器內設有攪拌器9,可調速;溶解器的側壁設置3個有取樣口3;溶解器器壁開有1個密度計插入孔7和4個溫度計插入孔。
該溶解器的主要尺寸為:溶解器直徑2.2m,總高2.55m,其中圓柱高1.6m,錐體高0.95m。
????以上所述,僅是本發明的較佳實施例而已,并非對本發明作任何形式上的限制,任何未脫離本發明技術方案內容,依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發明技術方案的范圍內。
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