[發明專利]一種低發火電壓的Ni-Cr合金薄膜橋點火器及其制備方法

無效

• 申請號: 201110310703.0
• 申請日: 2011-09-23
• 公開（公告）號: CN102384486A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 景濤;顏志紅;謝貴久;何迎輝;金忠;龍悅;吳迪
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十八研究所
• 主分類號: F23Q13/00
• 分類號: F23Q13/00
• 代理公司: 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113
• 代理人: 馬強

1.一種低發火電壓的Ni-Cr合金薄膜橋點火器，包括基底(2)，其特征是，所述基底(2)上設有隔離膜(3)，該隔離膜(3)上設有發火元件(4)，在發火元件(4)設有發火器引線焊盤區(5A，5B)；所述發火元件(4)的材料為Ni-Cr合金。

2.根據權利要求1所述的低發火電壓的Ni-Cr合金薄膜橋點火器，其特征是，該發火器引線焊盤區(5A，5B)通過引線(8)與一用于安裝所述點火器(1)的基座(7)上的引線焊盤區(6)相連。

3.根據權利要求1所述的低發火電壓的Ni-Cr合金薄膜橋點火器，其特征是，所述基底(2)的材料選自FR-4、聚酰亞胺、Al₂O₃中的至少一種，基底(2)直徑為50mm～100mm，厚度0.5mm～1mm。

4.根據權利要求1所述的低發火電壓的Ni-Cr合金薄膜橋點火器，其特征是，所述發火器引線焊盤區(5A，5B)的材料選自鋁、銅、金、銀中的至少一種，發火器引線焊盤區(5A，5B)的厚度0.1μm～1μm。

5.根據權利要求1所述的低發火電壓的Ni-Cr合金薄膜橋點火器，其特征是，所述發火元件(4)的厚度2×10^-7m～5×10^-6m。

6.根據權利要求1所述的低發火電壓的Ni-Cr合金薄膜橋點火器，其特征是，所述發火元件(4)中Ni和Cr比例為80∶20。

7.根據權利要求1所述的低發火電壓的Ni-Cr合金薄膜橋點火器，其特征是，所述隔離膜(3)的材料為SiO₂，厚度為0.5μm～1μm。

8.一種如權利要求1～7之一所述低發火電壓的Ni-Cr合金薄膜橋點火器(1)的制備方法，其特征是：其包括如下步驟：

1)、對基底(2)進行清洗，去除基底(2)表面油污及雜質；

2)、在基底(2)上淀積隔離膜(3)，在隔離膜(3)上淀積Ni-Cr合金薄膜；

3)、在所述Ni-Cr合金薄膜上制備出光刻膠掩膜層，以光刻膠作掩膜材料刻蝕出發火元件(4)，刻蝕深度為Ni-Cr合金薄膜的厚度；

4)、在發火元件(4)層上制備出光刻膠掩膜層，利用物理氣相淀積技術淀積發火器引線焊盤區(5A，5B)；

5)、采用切片機進行切片，制得Ni-Cr合金薄膜橋點火器(1)。

9.根據權利要求8所述的低發火電壓的Ni-Cr合金薄膜橋點火器(1)的制備方法，其特征是：所述步驟3)中，在所述Ni-Cr合金薄膜上利用光刻工藝制備出發火元件(4)形狀的光刻膠掩膜層，利用干法刻蝕技術將Ni-Cr合金薄膜刻蝕成發火元件(4)。

10.根據權利要求8所述的低發火電壓的Ni-Cr合金薄膜橋點火器(1)的制備方法，其特征是：所述步驟4)中，在發火元件(4)層上利用光刻工藝制備出發火器引線焊盤區(5A，5B)形狀的光刻膠掩膜層，利用物理氣相淀積技術淀積發火器引線焊盤區(5A，5B)。