[發(fā)明專利]精確控制EB結(jié)位置和EB結(jié)反向擊穿電壓的結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110310522.8 | 申請日： | 2011-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN103050516A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 韓峰;劉冬華;胡君;段文婷;石晶 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/737 | 分類號： | H01L29/737;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 孫大為 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 精確 控制 eb 位置 反向 擊穿 電壓 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種精確控制鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管EB結(jié)位置及其反向耐壓的結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括是集電區(qū)(1)，基區(qū)(2)和發(fā)射區(qū)(3)；
集電區(qū)由有源區(qū)通過N型摻雜構(gòu)成；
基區(qū)有鍺硅外延生長構(gòu)成，生長過程中摻入P型雜質(zhì)；
而發(fā)射區(qū)則是由多晶硅構(gòu)成；
基區(qū)外延層中的覆蓋層中的摻雜類型為N型。
2.如權(quán)利要求1所述的精確控制鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管EB結(jié)位置及其反向耐壓的結(jié)構(gòu)，其特征在于，基區(qū)外延層主要有三成構(gòu)成：緩沖層，鍺硅層，覆蓋層。
3.如權(quán)利要求2所述的精確控制鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管EB結(jié)位置及其反向耐壓的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述緩沖層不摻入任何雜質(zhì)。
4.如權(quán)利要求2所述的精確控制鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管EB結(jié)位置及其反向耐壓的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鍺硅層中摻入鍺和P型雜質(zhì)，濃度有器件目標(biāo)性能來決定。
5.如權(quán)利要求2所述的精確控制鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管EB結(jié)位置及其反向耐壓的結(jié)構(gòu)，其特征在于，覆蓋層摻入N型雜質(zhì)，其濃度和摻雜位置與鍺硅層的P型雜質(zhì)一起決定了EB結(jié)的位置與EB結(jié)反向擊穿耐壓。
6.如權(quán)利要求2所述的精確控制鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管EB結(jié)位置及其反向耐壓的結(jié)構(gòu)，其特征在于，基區(qū)外延層中的覆蓋層中的摻雜類型為N型的磷或者砷。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華虹NEC電子有限公司，未經(jīng)上海華虹NEC電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110310522.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種治療血虛寒凝型產(chǎn)后腹痛的中藥組合物
- 下一篇：生姜甘草中藥酒
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
