[發明專利]抗蝕劑圖案計算方法

有效

• 申請號: 201110310483.1
• 申請日: 2011-10-14
• 公開（公告）號: CN102455594A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 中山諒;辻田好一郎;三上晃司;石井弘之
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/004
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 卜榮麗

1.一種使用計算機計算抗蝕劑圖案的方法，所述抗蝕劑圖案是通過中間掩模的圖案和投射光學系統使抗蝕劑曝光并使曝光的抗蝕劑顯影而形成在襯底上的，所述方法包括：

第一步，基于所述中間掩模的圖案和曝光條件來計算形成在所述抗蝕劑上的光學圖像的光強度分布；

第二步，使用第一擴散長度對在第一步中計算的光強度分布進行卷積；

第三步，使用在第一步中計算的光強度分布或者在第二步中卷積的光強度分布來計算每個點的代表性光強度，所述代表性光強度代表具有預定大小并包括限定在所述抗蝕劑的平面內的所述點的區域中的光強度；

第四步，通過將校正函數與在第二步中卷積的光強度分布相加來對在第二步中卷積的光強度分布進行校正，所述校正函數包括由下式給出的第一函數：

{Σk=0n(akJk)}exp(-αJ)]]>

其中，J是所述代表性光強度的分布，a_k和α是常數，n是自然數；和

第五步，基于在第四步中校正的光強度分布和預先設置的限幅水平來計算所述抗蝕劑圖案。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述區域是具有等于或大于17nm并且等于或小于1μm的半徑且以所述點作為其中心的圓形區域和每邊為等于或大于34nm并且等于或小于2μm的正方形區域之一，以及

所述代表性光強度是所述區域中的光強度的最小值、最大值或者平均值之一。

3.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括：第六步，使用比第一擴散長度大的第二擴散長度對在第一步中計算的光強度分布進行卷積，以及

所述校正函數不僅包括第一函數，而且還包括由下式給出的第二函數：

{Σl=0m(blKl)}exp(-βK)]]>

其中，K是在第六步中卷積的光強度分布，b_l和β是常數，m是自然數。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述第一擴散長度不大于50nm，所述第二擴散長度等于或大于50nm并且等于或小于200μm。

5.根據權利要求3所述的方法，其中，設置所述常數a_k、b_l、α和β，以使得評估函數的值落在容限內，所述評估函數包括通過校正函數校正的光強度分布對中間掩模的圖案的敏感度和通過校正函數校正的光強度分布對曝光量的敏感度。

6.根據權利要求3所述的方法，其中，設置所述常數a_k、b_l、α和β，以使得評估函數的值落在容限內，所述評估函數被表達為從通過校正函數校正的光強度分布計算的抗蝕劑圖案的線寬與通過曝光處理獲得的抗蝕劑圖案的線寬之間的差的均方根值。