[發(fā)明專利]一種刺芹側(cè)耳工廠化免搔菌袋栽方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110310225.3
• 申請日: 2011-10-13
• 公開（公告）號: CN102498931A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發(fā)明（設計）人: 李宗堂
• 申請（專利權）人: 成都榕珍菌業(yè)有限公司
• 主分類號: A01G1/04
• 分類號: A01G1/04;C05G3/00
• 代理公司: 四川省成都市天策商標專利事務所 51213
• 代理人: 伍孝慈

技術領域

本發(fā)明涉及食用菌的栽培方法，更具體的說是一種刺芹側(cè)耳工廠化免袋栽方法。

背景技術

刺芹側(cè)耳，又名杏鮑菇，屬真菌門、真擔子菌綱、傘菌目、側(cè)耳屬，是近年來開發(fā)并成功栽培的集食用、藥用、食療于一體的珍稀食用菌新品種，在我國的西部地區(qū)有野生，近年來開始進行大規(guī)模工廠化人工栽培，然而不管是刺芹側(cè)耳還是其它食用菌的栽培，都需要采用適宜其生長、并能提供其生長所需各種物質(zhì)的培養(yǎng)基質(zhì)，而在其培養(yǎng)基的選擇上，需要根據(jù)具體栽培的方式、以及栽培場所的具體環(huán)境情況來確定，目前，國內(nèi)已經(jīng)有眾多地區(qū)開始刺芹側(cè)耳的工廠化栽培，其使用的培養(yǎng)基中的各項成分含量也是各種各樣，一般都采用木屑加上其它礦物質(zhì)或化學成分進行混合，但由于刺芹側(cè)耳獨特的生長習性及其生長過程中所需要的物質(zhì)與溫度都是不同的，而就目前普遍的情況來看，現(xiàn)有的刺芹側(cè)耳栽培工藝在其接種率和產(chǎn)量中都存在諸多問題，例如接種率低，出菇周期長等等，正因為這些因素的存在，造成其產(chǎn)量相對低下，而且常規(guī)的方法由于其培養(yǎng)基與培養(yǎng)環(huán)境各項指標的影響，在發(fā)菌過程中，由于菌絲生長造成呼吸熱使水分蒸發(fā)，上層菌絲老化，甚至形成菌皮菌膜，阻礙空氣相對濕度與內(nèi)部菌絲接觸，對新鮮空氣接觸不暢，延長出菇時間，即使出菇也不整齊，因此需要對其表面進行搔菌處理才能使其繼續(xù)生長及食用，但這樣便增加了刺芹側(cè)耳栽培的工序，且如采用高效率的搔菌裝置也增加了其栽培所耗費的成本，因此針對現(xiàn)有的刺芹側(cè)耳栽培技術所存在的缺陷與不足，有必要對其栽培方法，尤其是工廠化栽培方法作出進一步的改進。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于解決上述不足，提供一種栽培周期相對較短的一種刺芹側(cè)耳工廠化免搔菌袋栽方法

為解決上述的技術問題，本發(fā)明采用以下技術方案：

本發(fā)明所提供的一種刺芹側(cè)耳工廠化免搔菌袋栽方法，所述方法按照如下步驟進行操作：

步驟一、培養(yǎng)基配制，將玉米芯與木屑、甘蔗渣、玉米粉、麩皮、豆餅粉、石灰均勻攪拌混合在一起后，再向其加入水，并將其含水量調(diào)節(jié)至60％至70％后待用；

步驟二、培養(yǎng)基裝袋，將配制好的培養(yǎng)基裝入塑料袋中，再在培養(yǎng)基中插埋內(nèi)襯體，用于形成接入菌種的預留空間，然后在袋口處套上控制環(huán)并封住袋口；

步驟三、培養(yǎng)基滅菌，將裝袋后的培養(yǎng)基置于90至100攝氏度的溫度下，在單位時間內(nèi)進行滅菌處理；

步驟四、接種培養(yǎng)，在培養(yǎng)基滅菌完成后，向其接入菌種，接種后在20至26攝氏度的環(huán)境下培養(yǎng)30至45天；

步驟五、誘導出菇，將培養(yǎng)好的菌袋置于溫度為13至18攝氏度的環(huán)境下，打開并拉直塑料袋口待其生長；

步驟六、子實體生長管理，當子實體生長到長度為3至5厘米時，取下塑料袋口處的控制環(huán)，并繼續(xù)將其置于溫度為13至18攝氏度的環(huán)境下待其生長，直到其子實體長度達到17至20厘米，且菌蓋與菌柄的橫截面直徑一致時進行統(tǒng)一采收。

進一步的技術方案是：所述的步驟一中的培養(yǎng)基中包含木屑10％至20％，玉米芯20％至40％，甘蔗渣20％至40％，玉米粉10％至15％，麩皮10％至15％，豆餅粉2％至7％，石灰1％至2％。

上述進一步的技術方案是：所述的木屑是闊葉木屑；步驟一中的均勻攪拌培養(yǎng)基配料是采用攪拌機完成。

更進一步的技術方案是：所述的步驟二中插埋入培養(yǎng)基中的內(nèi)襯體是塑料棒；所述的控制環(huán)是塑料環(huán)；所述的塑料袋是采用聚乙烯或聚丙烯加工制成。

上述更進一步的技術方案是：所述的封住袋口所采用的方式為無棉蓋封住袋口。

再進一步的技術方案是：所述的步驟三中的培養(yǎng)基滅菌為高壓滅菌，在0.1至0.2兆帕的壓力下滅菌3至4小時。

上述再進一步的技術方案是：所述的步驟三中的培養(yǎng)基滅菌為常壓滅菌，滅菌時間為20至24小時。

還進一步的技術方案是：所述的步驟四中接入的菌種為木條菌種，且將其插入塑料袋中培養(yǎng)基的中部。

上述還進一步的技術方案是：所述的步驟五與步驟六中出菇環(huán)境下的空氣相對濕度為90％至98％，光照強度為100至300勒克司，且每立方米的空氣中二氧化碳的含量為1‰至3‰。

本發(fā)明還可以：所述的步驟六中取下控制環(huán)后還需對培養(yǎng)基中生長出的相對幼小的菇蕾進行切除，并保留2至3個子實體相對較大的菇蕾。