[發明專利]高效率控制的整合式逆變器裝置及其操作方法無效
| 申請號: | 201110310169.3 | 申請日: | 2011-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN103051222A | 公開(公告)日: | 2013-04-17 |
| 發明(設計)人: | 賴淵芳;張瑛淞 | 申請(專利權)人: | 臺達電子工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H02M7/48 | 分類號: | H02M7/48;H02M7/537 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 馮志云;鄭特強 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高效率 控制 整合 逆變器 裝置 及其 操作方法 | ||
1.一種高效率控制的整合式逆變器裝置,包含:
至少兩個逆變器單元,所述逆變器單元彼此電性并聯連接,其中至少一個逆變器單元包含多個場效晶體管開關,并且至少另一個逆變器單元包含多個絕緣柵極晶體管開關;及
一控制器單元,電性連接所述逆變器單元,并且根據所述逆變器單元于不同操作狀態下,取得該整合式逆變器裝置的最高輸出效率數據,以對所對應的所述逆變器單元的所述晶體管開關提供控制。
2.如權利要求1所述的高效率控制的整合式逆變器裝置,其中所述逆變器單元為一第一逆變器單元與一第二逆變器單元;當該整合式逆變器裝置的最高輸出效率發生于該第一逆變器單元單獨操作時,該控制器單元控制該第一逆變器單元的所述晶體管開關動作;當該整合式逆變器裝置的最高輸出效率發生于該第二逆變器單元單獨操作時,該控制器單元控制該第二逆變器單元的所述晶體管開關動作。
3.如權利要求1的高效率控制的整合式逆變器裝置,其中所述逆變器單元為一第一逆變器單元與一第二逆變器單元;當該整合式逆變器裝置的最高輸出效率發生于該第一逆變器單元與該第二逆變器單元整體操作時,該控制器單元控制該第一逆變器單元的所述晶體管開關與該第二逆變器單元的所述晶體管開關動作。
4.如權利要求1所述的高效率控制的整合式逆變器裝置,其中所述逆變器單元為一第一逆變器單元、一第二逆變器單元以及一第三逆變器單元;當該整合式逆變器裝置的最高輸出效率發生于該第一逆變器單元與該第二逆變器單元組合操作時,該控制器單元控制該第一逆變器單元的所述晶體管開關與該第二逆變器單元的所述晶體管開關動作;當該整合式逆變器裝置的最高輸出效率發生于該第二逆變器單元與該第三逆變器單元組合操作時,該控制器單元控制該第二逆變器單元的所述晶體管開關與該第三逆變器單元的所述晶體管開關動作;當該整合式逆變器裝置的最高輸出效率發生于該第一逆變器單元與該第三逆變器單元組合操作時,該控制器單元控制該第一逆變器單元的所述晶體管開關與該第三逆變器單元的所述晶體管開關動作。
5.如權利要求1所述的高效率控制的整合式逆變器裝置,其中由所述場效晶體管開關所組成該逆變器單元的切換頻率,為由所述絕緣柵極晶體管開關所組成該逆變器單元的切換頻率的整數倍,以達到交錯式開關控制。
6.如權利要求1所述的高效率控制的整合式逆變器裝置,其中所述場效晶體管開關為結型場效晶體管或金屬氧化物半導體場效晶體管。
7.如權利要求1所述的高效率控制的整合式逆變器裝置,其中該整合式逆變器裝置更包含:
一輸出電流感測單元,電性連接該整合式逆變器裝置的一輸出側,以感測該整合式逆變器裝置的一輸出電流大小;
一輸出電壓感測單元,電性連接該整合式逆變器裝置的一輸出側,以感測該整合式逆變器裝置的一輸出電壓大小;
一輸入電流感測單元,電性連接該整合式逆變器裝置的一輸入側,以感測該整合式逆變器裝置的一輸入電流大小;
一輸入電壓感測單元,電性連接該整合式逆變器裝置的一輸入側,以感測該整合式逆變器裝置的一輸入電壓大小;及
一計算單元,電性連接該輸出電流感測單元、該輸出電壓感測單元、該輸入電流感測單元以及該輸入電壓感測單元,分別接收該整合式逆變器裝置的該輸出電流、該輸出電壓、該輸入電流以及該輸入電壓,以計算當所述逆變器單元于不同操作狀態下,該整合式逆變器裝置的輸出效率數據。
8.如權利要求7所述的高效率控制的整合式逆變器裝置,其中該整合式逆變器裝置的效率為該輸出電流與該輸出電壓乘積所得的一輸出功率與該輸入電流與該輸入電壓乘積所得的一輸入功率的比值。
9.如權利要求1所述的高效率控制的整合式逆變器裝置,其中該整合式逆變器裝置更包含:
一儲存單元,以查表方式儲存當所述逆變器單元于不同操作狀態下,該整合式逆變器裝置的輸出效率數據。
10.如權利要求1所述的高效率控制的整合式逆變器裝置,其中每一該場效晶體管開關內含一快速回復二極管,以減少該場效晶體管開關的切換損失。
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