[發明專利]撓曲件的布線結構

有效

• 申請號: 201110310139.2
• 申請日: 2011-09-30
• 公開（公告）號: CN102446514A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 荒井肇;福島清隆
• 申請（專利權）人: 日本發條株式會社
• 主分類號: G11B5/48
• 分類號: G11B5/48;G11B5/55
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 丁文蘊;杜德海

技術領域

本發明涉及一種附接到磁頭懸架的撓曲件的布線結構，所述磁頭懸架設置于，例如，硬盤驅動器。

背景技術

硬盤驅動器包含了硬盤和支持磁頭的磁頭懸架。所述硬盤驅動器中的硬盤高速旋轉，磁頭懸架的磁頭從硬盤的表面輕微浮起，將數據寫入硬盤以及從硬盤讀取數據。磁頭懸架的磁頭附接撓曲件，所述撓曲件與磁頭懸架相匹配并沿磁頭懸架延伸。所述撓曲件包括布線，所述布線用于傳輸寫入信號至磁頭以及從磁頭讀取信號。

如今的硬盤驅動器被要求具備更大容量，高傳輸速率，以及更低的功耗。為了滿足這些要求，要求硬盤驅動器中的撓曲件的布線改進電特性，例如降低阻抗和電感、實現與前置放大器的阻抗匹配、避免衰減。

為了符合撓曲件布線的這些要求，日本未審查專利申請公開NO.H10-24837公開了一種交錯布線技術，在撓曲件的寬度方向上交替大量兩極的跡線。該技術能夠降低撓曲件布線的阻抗等。

然而，所述交錯布線會引起布線信號傳輸損耗頻率特性(下文中有時作為“頻損特性”而提到)的局部下降或降低，而這在沒有采用交錯布線技術的標準布線中是觀察不到的。如果發生了，頻損特性局部下降會造成一些問題，例如引起不想要的濾波器以及縮小帶寬。

發明內容

本發明的目的是提供一種撓曲件的布線結構，具有交錯配置，能夠在交錯部分不引起布線的頻損特性的局部下降。

為了實現該目的，本發明的一個方面提供了支持磁頭的撓曲件的布線結構，用于將數據寫入記錄介質以及從記錄介質讀取數據。所述布線結構具有：布線，其包含了第一極性的跡線以及第二極性的跡線，所述布線傳輸信號至磁頭以及從磁頭傳輸信號；以及交錯部分，其至少部分地形成在布線中，其中，每個跡線分為子跡線，所述子跡線在布線的寬度方向上交替，在交錯部分的每一側上，每個跡線的子跡線相互連接，每個跡線的外部子跡線比相同跡線的內部子跡線更窄。

本發明的這個方面能夠在交錯部分避免在撓曲件的布線的信號傳輸損耗的頻率特性中發生的局部下降。

附圖說明

圖1是表示具有采用了根據本發明的第一實施方式的布線結構的撓曲件的磁頭懸架的示例的俯視圖；

圖2是表示附圖1的部分撓曲件的透視圖；

圖3是表示附圖2的撓曲件的剖視圖；

圖4是表示根據第一實施方式的布線結構的交錯部分的模型；

圖5A和5B是列出了根據第一實施方式的實施例1A至1D與對比實施例2和3的分析模型的尺度的表格；

圖6是表示用于分析圖5A和5B的分析模型的頻率特性分析電路的電路圖；

圖7是表示采用無交錯部分的對比實施例1的信號傳輸損耗的頻率特性(頻損特性)的曲線圖；

圖8是表示采用了具有等寬的子跡線的交錯部分的對比實施例2的頻損特性的曲線圖；

圖9是分別表示實施例1A、1B以及具有不同寬度的外部子跡線的對比實施例2的頻損特性的曲線圖；

圖10是圖9的部分放大圖；

圖11是分別表示實施例1A至1D以及具有不同寬度的外部子跡線的對比實施例2和3的頻損特性的曲線圖；

圖12是說明頻損特性局部下降的曲線圖；

圖13是表示頻損特性局部下降與外部子跡線寬度之間關系的曲線圖；

圖14是表示根據本發明第一實施方式的一個修正的撓曲件的布線結構的剖視圖；

圖15是表示根據所述修正的頻損特性局部下降與外部子跡線寬度之間關系的曲線圖；

圖16A和16B是表示根據本發明第二實施方式的撓曲件的布線結構采用不同子跡線配置的透視圖；

圖17是表示根據第二實施方式的布線結構的模型；

圖18是表示根據第二實施方式的實施例2A和2B以及對比實施例4至6的頻損特性的曲線圖；

圖19是圖18的部分放大圖；和

圖20是表示實施例2A與對比實施例4和5的頻損特性的曲線圖。

具體實施方式

下面將參考附圖來說明本發明的實施方式。通過降低外部子跡線的寬度以使其比內部子跡線的寬度更窄，每個實施方式避免了在撓曲件的布線結構的交錯部分發生信號傳輸損耗的頻率特性的局部下降。

圖1是表示具有采用了根據本發明第一實施方式的布線結構的撓曲件的磁頭懸架的俯視圖。

在圖1中，所述磁頭懸架1包含了負載梁3、基座5以及撓曲件7。