[發(fā)明專利]二元光掩模坯料和二元光掩模制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110310117.6
• 申請日: 2011-08-04
• 公開（公告）號: CN102375326A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吉川博樹;稻月判臣;西川和宏;金子英雄
• 申請（專利權(quán)）人: 信越化學(xué)工業(yè)株式會社
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/26
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 李躍龍

1.一種二元光掩模坯料，其包含透明襯底和其上的遮光膜，該遮光膜具有2.5-3.5的光密度，其中

所述遮光膜包括與襯底鄰接設(shè)置的襯底側(cè)的組成漸變層，和遠離襯底設(shè)置的表面?zhèn)鹊慕M成漸變層，具有35-60nm的厚度，并由包含過渡金屬以及氮和/或氧的硅基材料構(gòu)成，

所述襯底側(cè)的組成漸變層是具有10-58.5nm厚度的層，其中氮和氧的總含量在厚度方向上向著襯底增加，

所述襯底側(cè)的組成漸變層包括其組成在厚度方向上連續(xù)變化的層，各自具有一致組成的至少三個層的組合，具有一致組成的層和其組成在厚度方向上連續(xù)變化的層的組合，或者其組成在厚度方向上連續(xù)變化的層的組合，

構(gòu)成所述襯底側(cè)的組成漸變層的硅基材料以1∶2到1∶9的原子比例包含過渡金屬和硅，在所述襯底側(cè)的組成漸變層中的氮和氧的總含量在與襯底鄰接的表面處為25-40原子％，而在遠離襯底的表面處為10-23原子％，

所述表面?zhèn)鹊慕M成漸變層是具有1.5-8nm厚度的層，其中氮和氧的總含量在厚度方向上向著襯底減少，

所述表面?zhèn)鹊慕M成漸變層包含其組成在厚度方向上連續(xù)變化的層，各自具有一致組成的至少兩個層的組合，具有一致組成的層和其組成在厚度方向上連續(xù)變化的層的組合，或者其組成在厚度方向上連續(xù)變化的層的組合，

構(gòu)成所述表面?zhèn)鹊慕M成漸變層的硅基材料以1∶2到1∶9的原子比例包含過渡金屬和硅，在所述表面?zhèn)鹊慕M成漸變層中的氮和氧的總含量在與襯底鄰近的表面處為10-45原子％，而在遠離襯底的表面處為45-55原子％。

2.如權(quán)利要求1所述的二元光掩模坯料，進一步包括所述襯底側(cè)的組成漸變層和所述表面?zhèn)鹊慕M成漸變層之間的中間層，所述中間層由包含過渡金屬以及氮和/或氧的硅基材料構(gòu)成，其中過渡金屬和硅的原子比例為1∶2到1∶9，并且氮和氧的總含量為10-23原子％。

3.如權(quán)利要求1所述的二元光掩模坯料，其中所述襯底側(cè)的組成漸變層在厚度方向的部分或全部上，包含其中氮和氧的總含量在厚度方向上連續(xù)變化的層。

4.如權(quán)利要求1所述的二元光掩模坯料，進一步包含設(shè)置在遮光膜上的鉻基材料的硬掩模膜。

5.如權(quán)利要求1所述的二元光掩模坯料，其中遮光膜的所有層包含至少3原子％的氮。

6.一種制造二元光掩模的方法，包括以下步驟：在權(quán)利要求1中的二元光掩模坯料上形成具有至多150nm厚度的抗蝕膜，將抗蝕膜加工為抗蝕圖案，以及使用該抗蝕圖案形成掩模圖案。