[發明專利]光伏器件無效
| 申請號: | 201110309927.X | 申請日: | 2011-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN102446998A | 公開(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發明(設計)人: | L·查卡拉科斯;A·M·斯里瓦斯塔瓦;B·A·科雷瓦爾;O·I·斯特恩岡薩雷斯;Y·A·奚 | 申請(專利權)人: | 通用電氣公司 |
| 主分類號: | H01L31/055 | 分類號: | H01L31/055;H01L31/042 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張金金;朱海煜 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 器件 | ||
1.一種光伏器件,其包括:
設置在所述器件上的復合降頻轉換層,其包括散布在基體中的降頻轉換材料微粒,其中降頻轉換材料微粒的大小是所述降頻轉換材料和所述基體的相應折射率的差別Δn的函數,使得:
對于小于大約0.05的Δn,降頻轉換材料微粒的大小在從大約0.5微米至大約10微米的范圍中,并且
對于至少大約0.05的Δn,降頻轉換材料微粒的大小在從大約1納米至大約500納米的范圍中。
2.如權利要求1所述的光伏器件,其中所述光伏器件包括單結電池或多結電池。
3.如權利要求1所述的光伏器件,其中所述光伏器件包括CdTe薄膜電池、非晶硅/微晶硅疊層薄膜電池、銅-鋅-錫硫化物(CZTS)薄膜電池、金屬硫化物薄膜電池、金屬磷化物薄膜電池或Cu(In,Ga,Al)(Se,S)2薄膜電池。
4.如權利要求1所述的光伏器件,其進一步包括具有前表面的玻璃板,其中所述降頻轉換層設置在所述玻璃板的前表面上。
5.如權利要求1所述的光伏器件,其進一步包括具有后表面的玻璃板,其中所述降頻轉換層設置在所述玻璃板的后表面上。
6.如權利要求1所述的光伏器件,其中所述降頻轉換材料包括從由摻釤的硼酸鍶SrB4O7:Sm2+、摻釤的(Sr,Ca,Ba)BPO5、摻銪的(Sr,Ca)SiO4、摻釤的BaAlF5、摻釤的(Ba,Sr,Ca)MgF4和其組合構成的組中選擇的磷光體。
7.如權利要求1所述的光伏器件,其中所述降頻轉換微粒包括具有核和設置在所述核上的殼層的微粒。
8.如權利要求1所述的光伏器件,其中所述降頻轉換層展現具有鄰近介質的折射率之間的值的有效折射率。
9.如權利要求1所述的光伏器件,其中所述降頻轉換層展現漸變有效折射率。
10.一種包括多個如在權利要求1中限定的光伏器件的光伏模塊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





