[發(fā)明專利]一種具有浮空埋層的絕緣柵雙極型晶體管無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110309838.5 | 申請日： | 2011-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN102306657A | 公開（公告）日： | 2012-01-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張金平;李澤宏;張波 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 電子科技大學(xué)專利中心 51203 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 具有 浮空埋層 絕緣 柵雙極型 晶體管 | ||
1.一種具有浮空埋層的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述絕緣柵雙極型晶體管的第一導(dǎo)電類型的漂移區(qū)(14)內(nèi)具有第二導(dǎo)電類型的埋層(22)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有浮空埋層的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述埋層(22)形狀為方形、條形、三角形、梯形、圓形或橢圓形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有浮空埋層的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述埋層(22)為單層連續(xù)結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有浮空埋層的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述埋層(22)為單層非連續(xù)結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有浮空埋層的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述埋層(22)為間隔的多層連續(xù)結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有浮空埋層的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述埋層(22)為間隔的多層非連續(xù)結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有浮空埋層的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述埋層(22)在傳統(tǒng)IGBT工藝開始之前，在第一導(dǎo)電類型襯底材料上通過兩步擴散工藝獲得。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有浮空埋層的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述埋層(22)在傳統(tǒng)IGBT工藝開始之前，通過離子注入或擴散等方式在第一導(dǎo)電類型的襯底表面形成一層第二導(dǎo)電類型的材料層，然后在此襯底表面通過外延等工藝再生長一層第一導(dǎo)電類型的材料層而獲得。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有浮空埋層的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述絕緣柵雙極型晶體管的集電極為電場終止結(jié)構(gòu)、透明陽極結(jié)構(gòu)或陽極短路結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有浮空埋層的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極為平面型柵或溝槽型柵。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
