[發明專利]一種減少淺溝槽隔離缺陷的方法無效
| 申請號： | 201110309746.7 | 申請日： | 2011-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN102610551A | 公開（公告）日： | 2012-07-25 |
| 發明（設計）人： | 徐強;張文廣;陳玉文;鄭春生 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 減少 溝槽 隔離 缺陷 方法 | ||
1.一種減少淺溝槽隔離缺陷的工藝方法，其特征在于：該工藝步驟如下：
1）進行有源區氧化物沉積，氮化硅（SIN）沉積，形成襯底；
2）進行淺溝槽隔離（STI）刻蝕；
3）進行淺溝槽隔離（STI）內襯氧化物層沉積；
4）進行含氮的等離子體處理；
5）進行淺溝槽隔離（STI）高密度等離子體沉積；
6)?進行透射電鏡（TEM）空洞檢測；
7）如檢測結果不符合要求，則對工藝參數進行調整，再次實施步驟（5）淺溝槽隔離（STI）高密度等離子體沉積；如檢測結果符合要求，則確認工藝參數，確定工藝流程。
2.如權利要求1所述的一種減少淺溝槽隔離缺陷的工藝方法，其特征在于：所述的含氮的等離子體為下列之一：N2，N2O，NH3。
3.如權利要求1所述的一種減少淺溝槽隔離缺陷的工藝方法，其特征在于：所述步驟（4）進行含氮的等離子體處理的操作時間范圍為5～30秒。
4.如權利要求1所述的一種減少淺溝槽隔離缺陷的工藝方法，其特征在于：所述步驟（4）進行含氮的等離子體處理的操作壓力范圍為2～8torr。
5.如權利要求1所述的一種減少淺溝槽隔離缺陷的工藝方法，其特征在于：所述步驟（4）進行含氮的等離子體處理的操作溫度范圍為300～500℃。
6.如權利要求1所述的一種減少淺溝槽隔離缺陷的工藝方法，其特征在于：所述步驟（4）進行含氮的等離子體處理的射頻電功率范圍為100～1000W。
7.如權利要求1所述的一種減少淺溝槽隔離缺陷的工藝方法，其特征在于：所述步驟（4）進行含氮的等離子體處理的噴頭與襯底間距離范圍為200～800mil。
8.如權利要求1所述的一種減少淺溝槽隔離缺陷的工藝方法，其特征在于：所述步驟（4）進行含氮的等離子體處理的氣體流量范圍為2000～20000sccm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
