[發明專利]使用非結合式半導體靶來濺射的方法

有效

• 申請號: 201110309742.9
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN102418074A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: R·W·布萊克;R·D·戈斯曼;P·L·奧基夫;S·D·費爾德曼-皮博迪
• 申請（專利權）人: 初星太陽能公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/06;H01L31/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李強;楊炯

1.一種使非結合式半導體靶(12)發生濺射的方法，所述方法包括：

可拆裝地將半導體靶(12)插入濺射陰極(10)中而暴露所述半導體靶(12)的濺射表面(14)，其中，所述濺射陰極(10)包括背板(18)，使得所述半導體靶(12)定位成鄰近背板(18)而不結合到其上；

通過定位在所述濺射陰極(10)內的加熱元件(17)來將所述半導體靶(12)加熱至濺射溫度；以及，

使半導體靶(12)的所述濺射表面與等離子體接觸，使得從所述半導體靶(12)的所述濺射表面(14)噴出原子。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：

通過增加或減少所述加熱元件(17)的輸出來調節所述靶(12)的所述濺射表面(14)的濺射溫度。

3.一種使非結合式半導體靶(12)發生濺射的方法，所述方法包括：

可拆裝地將半導體靶(12)插入濺射陰極(10)中而暴露所述半導體靶(12)的濺射表面(14)，其中，所述濺射陰極(10)包括背板(18)，使得所述半導體靶(12)定位成鄰近背板(18)而不結合到其上；以及，

使所述半導體靶(12)的所述濺射表面(14)與等離子體接觸，使得所述半導體靶(12)在最初接觸所述等離子體之后溫度升高。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：

允許所述半導體靶(12)在濺射期間建立均衡濺射溫度。

5.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其特征在于，所述半導體靶(12)包含硫化鎘。

6.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其特征在于，所述濺射溫度為約100℃至約1，000℃。

7.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：

監測所述靶(12)的濺射表面(14)的濺射溫度。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，通過定位在所述濺射陰極(10)內的溫度傳感器(54)來監測所述濺射溫度。

9.一種從濺射陰極(10)中更換耗盡的非結合式半導體靶(12)的方法，所述方法包括：

從所述濺射陰極(10)的滑動軌道(28)中移除端部支架(55)，以提供所述滑動軌道(28)的開口端，其中，所述滑動軌道(28)限定在背板(18)、第一支架(20)和第二支架(22)之間；

從所述滑動軌道(28)的所述開口端中移出所述耗盡的非結合式半導體靶(12)；

通過所述開口端將代用非結合式半導體靶(12)插入所述滑動軌道(28)中；以及，

將所述端部支架(55)重新附連到所述濺射陰極(10)上。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，從所述滑動軌道(28)的所述開口端中移出多個耗盡的非結合式半導體靶(12)，并且其中，通過所述開口端將多個代用非結合式半導體靶(12)插入所述滑動軌道(28)中。

11.根據權利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述濺射陰極(10)進一步包括定位成基本平行于所述滑動軌道(28)的第二滑動軌道(62)。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：

從所述第二滑動軌道(62)中移除耗盡的非結合式半導體靶(12)。

13.根據權利要求9、10、11或12所述的方法，其特征在于，所述代用非結合式半導體靶包含硫化鎘。