[發(fā)明專利]劃片槽框架自動設計方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110309721.7 | 申請日: | 2011-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN103050490A | 公開(公告)日: | 2013-04-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 曹晨;周京英;孫長江 | 申請(專利權)人: | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司 31211 | 代理人: | 劉昌榮 |
| 地址: | 201206 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 劃片 框架 自動 設計 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及半導體集成電路領域,特別是涉及一種掩模板劃片槽區(qū)域的框架設計方法。
背景技術
芯片版圖數(shù)據(jù)用于生產(chǎn)制造之前,需要根據(jù)生產(chǎn)制造中的曝光范圍,按照芯片尺寸大小進行重復排布。芯片和芯片之間為劃片槽區(qū)域,該區(qū)域需放置光刻對準圖形(Alignment?Mark)和光刻重疊測量圖形(Overlay?Mark)等生產(chǎn)制造過程中所需要用到的圖形(稱為mark)。劃片槽區(qū)域的版圖設計可稱為Frame(劃片槽框架)設計。劃片槽圖形連同芯片版圖的陣列排布組成了最終掩模板上的有效曝光數(shù)據(jù)。
放置在劃片槽中的圖形之間通常應各自獨立,如果交疊會引起測量失效或測量偏差。但是,目前的Frame設計工具只能將mark放置在一個大致的范圍,無法放置在一個精確的坐標點,如果要精確定位某mark,只能手動將目標位置處的其他mark移開,然后再手動放置該要精確定位的mark。
Fuse(熔絲)結構(如圖1所示)可以滿足硅片級芯片測試后,能通過劃片,在最終的單個芯片里實現(xiàn)物理切斷某測試電路的功能。由于Fuse結構電路的連線必須延伸到劃片槽內(nèi)部,因此,在與Frame拼接的時候,會和Frame上自動放置的對準監(jiān)控圖形發(fā)生交疊,如圖2所示,造成芯片F(xiàn)use電路與對準監(jiān)控圖形失效。因此,要實現(xiàn)帶Fuse結構芯片的高效準確生產(chǎn),必需解決帶Fuse結構芯片F(xiàn)rame的自動設計問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種劃片槽框架自動設計方法,它可以實現(xiàn)標記圖形在劃片槽區(qū)域的自動精確定位,避免圖形之間發(fā)生交疊和干擾。
為解決上述技術問題,本發(fā)明的劃片槽框架自動設計方法,包括步驟:
1)對需要在劃片槽中精確定位的標記圖形,將該標記圖形相對于劃片槽框架原點的距離,作為該標記圖形內(nèi)部有效圖形在該標記圖形內(nèi)部的偏移量,重新生成新的標記圖形;
2)將步驟1)生成的新的標記圖形,按照劃片槽框架原點,優(yōu)先放置于劃片槽中。
當芯片帶有熔絲結構,且所述熔絲結構延伸至劃片槽內(nèi)部時,在芯片與劃片槽框架拼合前,先生成只有占位標識層而無實際有效圖形的占位標記圖形,并將所述占位標記圖形優(yōu)先精確放置在劃片槽中熔絲結構對應的位置處,以提前將熔絲結構在劃片槽中將要占據(jù)的位置占去。
本發(fā)明通過使用空圖形精確占位,對原本需要手動放置的特殊標記圖形,實現(xiàn)了自動化放置,解決了傳統(tǒng)Frame設計工具無法精確定位的問題,并自動避免了圖形之間發(fā)生交疊;此外,對于帶Fuse結構芯片的Frame設計,采用本發(fā)明的設計方法后,工作時間由原來的24小時縮短為2小時,失誤率可以降為零,從而大幅提高了工作效率。
附圖說明
圖1是帶Fuse結構的芯片示意圖;
圖2是按照現(xiàn)有方法設計的劃片槽框架中,對準圖形與芯片F(xiàn)use結構發(fā)生交疊的示意圖;
圖3是需要在Frame中精確定位的對準圖形示意圖;
圖4是圖3的對準圖形需要放置在Frame中的位置示意圖;
圖5是實施例1中,采用本發(fā)明的方法重新生成的有偏移量的新對準圖形;
圖6是實施例2中,占位標記圖形占位后的對準圖形排布示意圖;
圖7是Fuse結構與圖6的Frame拼合后的圖形排布結果示意圖。
具體實施方式
為對本發(fā)明的技術內(nèi)容、特點與功效有更具體的了解,現(xiàn)結合圖示的實施方式,詳述如下:
實施例1
本實施例中,芯片不帶Fuse結構。
假設一對準圖形(如圖3所示),需要精確放置在劃片槽區(qū)域的某個固定位置處(如圖4所示),則首先計算出該對準圖形相對于Frame原點在X方向和Y方向的距離MX、MY。
將上述計算得到的距離MX、MY轉化為該對準圖形中的有效圖形在該對準圖形內(nèi)部相對于該對準圖形的坐標原點的偏移量,重新生成一個新的對準圖形(如圖5所示),然后,將新對準圖形按照Frame原點優(yōu)先放置。這樣,就實現(xiàn)了對準圖形在劃片槽框架中的精確定位,而且能夠避免與后續(xù)放置的其他對準圖形發(fā)生交疊。
實施例2
本實施例中,芯片帶Fuse結構,且Fuse結構延伸至劃片槽內(nèi)部。
首先測量出Fuse的寬度、在有Fuse方向芯片的長度、Fuse偏移芯片的距離以及芯片排布的奇偶數(shù),并計算出一次曝光范圍內(nèi)的芯片排列個數(shù)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





