[發(fā)明專利]孔的光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110309664.2
• 申請日: 2011-10-13
• 公開（公告）號: CN103048873A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳福成;袁春雨
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種孔的光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法。

背景技術(shù)

目前，光學(xué)臨近效應(yīng)修正(OPC，Optical?Proximity?Correction)技術(shù)，作為一種分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET，Resolution?Enhancement?Technology)，已普遍應(yīng)用于0.13μm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以上的關(guān)鍵層工藝。

但是，隨著半導(dǎo)體工藝尺寸的日益縮小，圖形的設(shè)計(jì)規(guī)則(design?rule)越來越小，同時也越來越復(fù)雜。如何配合光刻工藝進(jìn)行工藝窗口的擴(kuò)大(例如，基于光刻工藝窗口的OPC修正方法)，已成為目前OPC工藝的研究方向。

在孔圖形層次，目前的設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC，design?rule?check)軟件對于圖形與圖形的距離都是通過邊與邊之間的距離，而不是點(diǎn)與點(diǎn)之間的距離來定義的。假設(shè)孔圖形層次的設(shè)計(jì)規(guī)則為：孔的大小為a，孔與孔之間的最小間距為b。由于設(shè)計(jì)規(guī)則檢查軟件的功能設(shè)置，孔與孔之間的距離一般必須保證數(shù)值b。當(dāng)孔與孔之間位于同一直線時，圖形間距離的定義如圖1所示；當(dāng)孔與孔之間的位置不在同一直線上時，圖形間距離的定義則如圖2所示。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種孔的光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法，它可以增大孔圖形的光刻工藝窗口。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的孔的光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法，在對孔圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正前，將一個或多個原始孔圖形的一個或多個角切除，以相應(yīng)增加孔圖形的邊數(shù)。

本發(fā)明通過調(diào)整孔圖形的形狀，規(guī)避了孔圖形受MRC的限制，增大了孔圖形在非正交方向的OPC修正空間，從而間接增大了孔圖形的光刻工藝窗口。

附圖說明

圖1～2是現(xiàn)有設(shè)計(jì)規(guī)則檢查軟件定義圖形間距離的方式示意圖；其中，圖1中的兩孔位于同一直線；圖2中的兩孔處在非正交位置。

圖3～4是采用本發(fā)明的方法后，確定圖形間距離的方式示意圖。

圖5是用本發(fā)明實(shí)施例的方法對90nm節(jié)點(diǎn)的SRAM的圖形進(jìn)行OPC修正得到的結(jié)果圖。

具體實(shí)施方式

為對本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效有更具體的了解，現(xiàn)結(jié)合圖示的實(shí)施方式詳述如下：

本實(shí)施例的孔的OPC修正方法，其具體步驟如下：

步驟1，通過EDA(Electronic?Design?Automation，電子設(shè)計(jì)自動化)軟件畫出正方形的孔圖形。孔的大小(即正方形邊長)為a，孔與孔之間的距離為b(最小距離)。所述EDA軟件可以是Mentor的Calibre?DRC工具，也可以是其他EDA工具。

步驟2，通過EDA軟件將需要調(diào)整形狀的孔圖形切去角。被切除的角的直角邊長小于正方形孔的邊長的1/2。

步驟3，對步驟2得到的孔圖形數(shù)據(jù)做OPC修正。

經(jīng)過上述修正后，孔與孔之間的距離由b擴(kuò)大為b’，如圖3所示。

由于設(shè)計(jì)規(guī)則檢查軟件要求孔與孔之間的距離達(dá)到最小距離b即可，因此，我們可以適當(dāng)?shù)財(cái)U(kuò)大孔的大小，如圖4所示，孔可以從a擴(kuò)大到a’(此時孔與孔之間的距離為最小距離b)。

應(yīng)用上述方法對90nm節(jié)點(diǎn)的SRAM的圖形(產(chǎn)品為EF90，嵌入式閃存)進(jìn)行OPC修正，得到如圖5所示的結(jié)果，圖中，內(nèi)部輪廓線圍成的圖形(即斜線填充的圖形)為孔層OPC修正前切除角的圖形；外部輪廓線圍成的圖形(即黑點(diǎn)填充的圖形)為孔層OPC修正后的圖形。在實(shí)踐中，也可以通過EDA軟件直接畫出去掉角的八角形孔圖形，然后再對半導(dǎo)體芯片數(shù)據(jù)做OPC修正。

綜上，本發(fā)明的孔的OPC修正方法，通過引入切除孔圖形的角，形成一條小邊，規(guī)避了孔圖形由于掩膜版規(guī)則檢查MRC(Mask?Rule?Check)的限制，增大了孔圖形在非正交方向的OPC修正空間，從而間接增大了孔圖形的光刻工藝窗口，而在正交方向，孔與孔之間還是會被原來的MRC限定住，因此，不會出現(xiàn)過度修正。