[發(fā)明專利]增強(qiáng)IGBT可靠性的器件制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110309661.9
• 申請(qǐng)日: 2011-10-13
• 公開（公告）號(hào): CN102737973A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王海軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L21/331
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 孫大為

1.一種增強(qiáng)IGBT可靠性的器件制造方法；其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、先刻蝕硅表面上的二氧化硅阻擋層；

步驟二、去除光刻膠，以二氧化硅作為阻擋層，繼續(xù)刻蝕硅槽至所需的深度；

步驟三、進(jìn)行垂直注入載流子在槽的底部；

步驟四、送入高溫爐管進(jìn)行柵氧的氧化；

步驟五、然后進(jìn)行P溝道的注入和推阱；

步驟六、再做正面的源及互聯(lián)工藝；

步驟七、最后再做背面的集電極工藝。

2.如權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)溝槽型IGBT可靠性器件制造方法，其特征在于，所述深槽底部的柵氧厚度比溝道的柵氧厚度厚50埃以上。

3.如權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)溝槽型IGBT可靠性器件制造方法，其特征在于，所述步驟二中進(jìn)行刻蝕形成1微米以上深的槽。

4.如權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)溝槽型IGBT可靠性器件制造方法，其特征在于，所述步驟三中正面對(duì)深槽帶膠注入和溝道肼反型的載流子。

5.如權(quán)利要求4所述的增強(qiáng)溝槽型IGBT可靠性器件制造方法，其特征在于，注入載流子的能量大于100KEV。

6.如權(quán)利要求4所述的增強(qiáng)溝槽型IGBT可靠性器件制造方法，其特征在于，注入載流子的劑量大于1E13。

7.如權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)溝槽型IGBT可靠性器件制造方法，其特征在于，所述步驟四中柵氧的厚度大于50A。