[發明專利]光伏器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110309568.8
• 申請日: 2011-09-30
• 公開（公告）號: CN102446989A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: D·鐘;G·帕塔薩拉蒂;R·A·小納迪
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: H01L31/0296
• 分類號: H01L31/0296;H01L31/04;H01L31/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張金金;朱海煜

1.一種器件(100)，其包括：

襯底(110)；

第一半導體層(116)；

透明傳導層(112)；以及

透明窗口層(114)，其包括硫化鎘和氧，

其中所述器件(100)具有大于大約0.65的填充因數。

2.如權利要求1所述的器件，其中所述透明窗口層(114)進一步包括碲化鋅、硒化鋅、硒化鎘、氧化鎘硫和/或氧化銅。

3.如權利要求1所述的器件，其中所述透明窗口層(114)包括CdS_1-yO_y，其中y從0.01變化到0.5。

4.如權利要求1所述的器件，其中所述透明窗口層(114)在所述透明窗口層內包括氧濃度的梯度。

5.如權利要求1所述的器件，其中所述透明窗口層(114)具有在從大約2.3電子伏特至大約3.1電子伏特的范圍中的帶隙。

6.如權利要求1所述的器件，其中所述透明窗口層(114)包括在從大約0.1原子百分比至大約50原子百分比的范圍中的氧。

7.如權利要求1所述的器件，其中所述透明窗口層(114)在從大約500攝氏度至大約700攝氏度的范圍中的溫度是熱穩定的。

8.一種器件(100)，其包括：

頂板(110)；

透明傳導層(112)；

包括硫化鎘和氧的透明窗口層(114)；

包括碲化物的第一半導體層(116)；并且

其中所述器件(100)具有大于大約0.65的填充因數。

9.一種器件(200)，其包括：

襯底(110)；

包括硒化物的第一半導體層(116)；

包括硫化鎘和氧的透明窗口層(114)；

透明傳導層(112)；并且

其中所述器件(200)具有大于大約0.65的填充因數。

10.一種制造光伏器件(100)的方法，其包括：

在襯底(110)上設置透明傳導層；

在所述透明傳導層(112)上設置透明窗口層(114)；

鄰近所述透明窗口層(114)設置第一半導體層(116)；

其中設置所述透明窗口層(114)包括：

在包括氧的環境內提供包括半導體材料的靶，其中所述半導體材料包括鎘和硫；

對所述靶施加多個直流DC脈沖以形成脈沖DC等離子體；

用所述脈沖DC等離子體濺射所述靶以將包括鎘和硫的材料噴入所述等離子體；以及

將包括所述材料的膜沉積到襯底上。