[發(fā)明專利]制備碳薄膜的方法、包含碳薄膜的電子器件和電化學(xué)器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110309227.0
• 申請(qǐng)日: 2011-07-22
• 公開（公告）號(hào): CN102515135A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李泰雨;崔喜哲;卞善禎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浦項(xiàng)工科大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)
• 主分類號(hào): C01B31/02
• 分類號(hào): C01B31/02;B05D1/28;B05D3/02;B05D5/12;B05D7/24
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 宋莉

1.制備碳薄膜的方法，該方法包括：

通過使用涂覆工藝在基底上形成聚合物層；

在所述聚合物層上形成保護(hù)層；和

對(duì)所述基底進(jìn)行熱處理以在所述基底上形成碳薄膜。

2.權(quán)利要求1的方法，其中所述基底包括硅、氧化硅、金屬箔、不銹鋼、金屬氧化物、高序熱解石墨(HOPG)、六方氮化硼(h-BN)、c-面藍(lán)寶石晶片、硫化鋅(ZnS)、聚合物基底、或上述的至少兩種的組合。

3.權(quán)利要求1的方法，其中所述聚合物層的聚合物包括包含碳和氫、具有600℃或更低的熱分解溫度、并且包含非共軛主鏈的絕緣聚合物。

4.權(quán)利要求1的方法，其中所述聚合物層的聚合物包括選自以下式1表示的重復(fù)單元、以下式2表示的重復(fù)單元、以及以下式3表示的重復(fù)單元的至少一種：

式1????????????????????????????????????????????????式2

式3

其中Y₁是N或C(R₁₁)；

Y₂是O、S、N(R₁₂)、或C(R₁₃)(R₁₄)；

Y₃和Y₄各自獨(dú)立地是N或C(R₁₅)；

R₁-R₁₀各自獨(dú)立地選自氫原子(H)、硝基基團(tuán)(-NO₂)、氰基基團(tuán)(-CN)、羥基基團(tuán)(-OH)、羧基基團(tuán)(-COOH)、鹵素原子、取代或未取代的C₁-C₃₀烷基基團(tuán)、取代或未取代的C₁-C₃₀烷氧基基團(tuán)、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基基團(tuán)、取代或未取代的C₆-C₃₀芳烷基基團(tuán)、取代或未取代的C₆-C₃₀芳氧基基團(tuán)、取代或未取代的C₂-C₃₀雜芳基基團(tuán)、取代或未取代的C₂-C₃₀雜芳烷基基團(tuán)、取代或未取代的C₂-C₃₀雜芳氧基基團(tuán)、取代或未取代的C₅-C₂₀環(huán)烷基基團(tuán)、取代或未取代的C₂-C₃₀雜環(huán)烷基基團(tuán)、取代或未取代的C₁-C₃₀烷基酯基團(tuán)、取代或未取代C₆-C₃₀芳基酯基團(tuán)、取代或未取代的C₂-C₃₀雜芳基酯基團(tuán)、和N(Q₁)(Q₂)，其中Q₁-Q₂各自獨(dú)立地選自氫原子、C₁-C₃₀烷基基團(tuán)、C₆-C₃₀芳基基團(tuán)和C₂-C₃₀雜芳基基團(tuán)；

A₁是取代或未取代的C₆-C₃₀芳基基團(tuán)或者取代或未取代的C₂-C₃₀雜芳基基團(tuán)；和

*是與相鄰重復(fù)單元的結(jié)合部位。

5.權(quán)利要求3的方法，其中所述聚合物包括式1表示的重復(fù)單元，其中Y₁是N。

6.權(quán)利要求3的方法，其中所述聚合物包括式2表示的重復(fù)單元，其中Y₂是O。

7.權(quán)利要求3的方法，其中所述聚合物包括式3表示的重復(fù)單元，其中A₁是取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基，或者取代或未取代的吡啶基。

8.權(quán)利要求1的方法，其中形成所述聚合物層包括通過使用涂覆工藝將包括聚合物和溶劑的第一混合物或者包括聚合物前體和溶劑的第二混合物提供至所述基底。

9.權(quán)利要求1的方法，其中所述保護(hù)層包括具有800℃或更高熔點(diǎn)的材料。