[發明專利]有機場致發光元件、顯示裝置及照明裝置

有效

• 申請號: 201110309207.3
• 申請日: 2011-09-01
• 公開（公告）號: CN102683614A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 水野幸民;雨宮功;平尾明子;高須勛;杉崎知子;天野昌朗;真常泰;澤部智明;榎本信太郎
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/50
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周欣

本申請以日本專利申請2011-050622(申請日：2011年3月8日)為基礎，由該申請享受優先權。本申請參照該申請，從而包括該申請的全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及有機場致發光元件以及使用了該元件的顯示裝置及照明裝置。

背景技術

近年來，作為用于新一代顯示器或照明的發光技術，有機場致發光元件(以下，也稱為有機EL元件)正備受矚目。有機EL元件的研究初期主要使用熒光作為有機層的發光機理。但是，近年來，正集中關注于使用了內部量子效率更高的磷光的有機EL元件。

近年來的發光層構成的主流是在由有機材料構成的主體材料中摻雜以銥或鉑等為中心金屬的發光性金屬絡合物而成的構成。發光層中的主體材料大致分為低分子系和高分子系。包含低分子系主體材料的發光層主要通過真空共蒸鍍低分子系主體材料和發光摻雜劑而成膜。包含高分子系主體材料的發光層主要通過涂敷將高分子系主體材料和發光摻雜劑混合而成的溶液而成膜。作為高分子系主體材料的代表例，可以舉出聚乙烯基咔唑(PVK)。

在使用高分子材料作為主體材料時，如果電荷在高分子材料中流過，則產生材料自身引起分解或副反應而成為其它的物質等因各種機理使高分子材料自身劣化的問題。特別是已知聚乙烯基咔唑為電荷不易流過的材料，為了流過電荷，需要施加高電壓。因此，對材料賦予超出需要的負載，由此容易產生材料的劣化。由此，要求一種即使電荷流過也不易產生劣化的主體材料。另外，使用這樣的材料也關系到有機EL元件的長壽命化。

發明內容

本發明所要解決的課題為提供通過使用不易產生因電荷流過而引起的劣化的主體材料，使壽命及亮度提高了的有機場致發光元件以及使用了該元件的顯示裝置及照明裝置。

根據實施方式，可以提供一種有機場致發光元件，具備：相互分開配置的陽極及陰極；配置于所述陽極和所述陰極之間且包含主體材料及發光摻雜劑的發光層。其特征在于，作為所述主體材料，包含含有下述式(1)所示的二苯并噻吩骨架作為重復單元的聚合物。

化學式1

(式中，n為20～10000的整數)

根據所述實施方式，可以提供通過使用不易產生因電荷流過而引起的劣化的主體材料，使壽命及亮度提高了的有機場致發光元件以及使用了該元件的顯示裝置及照明裝置。

附圖說明

圖1是表示實施方式所涉及的有機場致發光元件的剖面圖。

圖2是表示實施方式所涉及的顯示裝置的電路圖。

圖3是表示實施方式所涉及的照明裝置的剖面圖。

圖4是表示實施例及比較例所涉及的有機場致發光元件的EL光譜的圖。

圖5是表示實施例及比較例所涉及的有機場致發光元件中的電流密度和發光效率的關系的圖。

圖6是比較實施例及比較例所涉及的有機場致發光元件的壽命的圖。

具體實施方式

以下，邊參照附圖邊對實施方式進行說明。

圖1是表示實施方式所涉及的有機場致發光元件的剖面圖。

有機場致發光元件10具有在基板11上依次形成陽極12、空穴傳輸層13、發光層14、電子傳輸層15、電子注入層16及陰極17而成的構造。根據需要形成空穴傳輸層13、電子傳輸層15及電子注入層16。

以下，對實施方式所涉及的有機場致發光元件的各部件進行詳細說明。

發光層14為具有如下功能的層：分別從陽極側接收空穴、從陰極側接收電子，提供空穴和電子的再結合的場所而使其發光。利用該結合發出的能量激發發光層中的主體材料。能量從激發狀態的主體材料向發光摻雜劑移動，由此使發光摻雜劑成為激發狀態，發光摻雜劑再次恢復到基態時進行發光。

發光層14采用在由有機材料構成的主體材料中摻雜發光性金屬絡合物(以下，稱為發光摻雜劑)的構成。在本實施方式中，作為主體材料，使用包含含有下式(1)所示的二苯并噻吩結構作為重復單元的聚合物的材料。以下，也將下述式(1)所示的聚合物稱為聚乙烯基二苯并噻吩(PVDBT)。

化合物2

在上述式(1)中，n為20～10000的整數。在n低于20時，通常難以定義為高分子，將其用作主體材料時的涂敷制膜性也不良好。另一方面，如果n大于10000，則難以溶于溶劑，缺乏作為主體材料的適合性。作為上述式(1)所示的聚合物，特別優選使用數均分子量為400～200萬的聚合物。