[發明專利]顯示面板的畫素結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201110308824.1
• 申請日: 2011-10-13
• 公開（公告）號: CN102361033A
• 公開（公告）日: 2012-02-22
• 發明（設計）人: 劉夢騏
• 申請（專利權）人: 福州華映視訊有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊

技術領域

本發明涉及一種顯示面板的畫素結構及其制作方法，尤指一種具有高開口率的顯示面板的畫素結構及其制作方法。

背景技術

顯示面板目前已廣泛使用在各式電子產品以符合電子產品輕薄短小的需求，此外，為提供消費者在瀏覽網頁或觀賞影片時較佳的觀賞質量，持續提高分辨率(resolution)是為顯示面板的重要發展方向之一。

為了提高分辨率，往往需藉由增加顯示面板中畫素結構的數目，但隨之增設的金屬線將會降低畫素結構的開口率(aperture?ratio)，且不利于背光利用率，而造成顯示面板的亮度下降，也就是說，為使開口率下降的顯示面板達到相同亮度，需增加背光模塊的功率消耗(power?consumption)以提高背光亮度。

因此，如何提高畫素結構的開口率以同時符合顯示面板的分辨率及亮度需求實為相關技術者所欲改進的課題。

發明內容

鑒于現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種顯示面板的畫素結構及其制作方法，以提高顯示面板的畫素結構的開口率。

為了實現上述目的，本發明的技術方案是：一種顯示面板的畫素結構，其包括一基板、一薄膜晶體管、一第一透明連接墊、一保護層以及一透明畫素電極。薄膜晶體管設置于基板上，且薄膜晶體管包括一閘極、一閘極絕緣層、一半導體通道層、一源極與一汲極。其中閘極絕緣層位于閘極與基板的上方，半導體通道層位于閘極絕緣層的上方，以及源極與汲極位于半導體通道層的上方。第一透明連接墊設置于汲極的上方，其中第一透明連接墊與汲極部分重迭并與汲極電性連接。保護層位于第一透明連接墊的上方，其中保護層具有至少一接觸洞，且接觸洞至少部分曝露出第一透明連接墊。透明畫素電極位于保護層的上方，其中透明畫素電極經由保護層的接觸洞與第一透明連接墊電性連接。

為了實現上述目的，本發明另提供一種制作顯示面板的畫素結構的方法，其步驟如下：提供一基板，且于基板上形成一薄膜晶體管。薄膜晶體管包括一閘極、一閘極絕緣層、一半導體通道層、一源極與一汲極。其中閘極絕緣層位于閘極與基板的上方，半導體通道層位于閘極絕緣層的上方，以及源極與汲極位于半導體通道層的上方。于汲極上形成一第一透明連接墊，且第一透明連接墊與汲極部分重迭并與汲極電性連接。于第一透明連接墊上形成一保護層，保護層具有至少一接觸洞，且接觸洞至少部分曝露出第一透明連接墊。于保護層上形成一透明畫素電極，且透明畫素電極經由保護層的接觸洞與第一透明連接墊電性連接。

本發明以透明連接墊電性連接透明畫素電極與汲極，其中透明連接墊設置于汲極上方，與汲極部分重迭且與汲極電性連接。透明連接墊可作為汲極的延伸部，亦即汲極與其它組件電性連接的區域。以透明材料組成的透明連接墊取代習知技術中部分的不透明的金屬汲極，可增加畫素結構中的透明區域而提高開口率。

附圖說明

圖1繪示了本發明的第一較佳實施例的顯示面板的畫素結構的示意圖。

圖2繪示了本發明的第一較佳實施例的顯示面板的畫素結構沿圖1A-A’線段的剖面示意圖。

圖3繪示了本發明的第一較佳實施例的顯示面板的畫素結構沿圖1B-B’線段的剖面示意圖。

圖4繪示了本發明的第二較佳實施例的顯示面板的畫素結構的示意圖。

圖5繪示了本發明的第二較佳實施例的顯示面板的畫素結構沿圖4B-B’線段的剖面示意圖。

圖6繪示了本發明的第三較佳實施例的顯示面板的畫素結構的示意圖。

圖7繪示了本發明的第三較佳實施例的顯示面板的畫素結構沿圖6A-A’線段的剖面示意圖。

圖8繪示了本發明的第三較佳實施例的顯示面板的畫素結構沿圖6B-B’線段的剖面示意圖。

圖9至圖12繪示了本發明的第一較佳實施例的顯示面板的畫素結構的制作方法示意圖。

圖13繪示了本發明的第二較佳實施例的顯示面板的畫素結構的制作方法示意圖。

圖14繪示了本發明的第三較佳實施例的顯示面板的畫素結構的制作方法示意圖。

【主要組件符號說明】

10????畫素結構?????????????11?畫素結構

12????基板????????????????????13??畫素結構

14????閘極線????????????????16??數據線

18????薄膜晶體管?????????20?第一透明連接墊

22????保護層????????????????22A??????接觸洞