[發明專利]一種MEMS拱形結構的制造方法無效
| 申請號： | 201110308645.8 | 申請日： | 2011-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN102358613A | 公開（公告）日： | 2012-02-22 |
| 發明（設計）人： | 陳俊;楊增濤;吳建;黃磊;徐俊 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第二十四研究所 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
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| 地址： | 400060 *** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mems 拱形 結構 制造 方法 | ||
1.一種MEMS拱形結構的制造方法，其特征在于：包括以下步驟：
(1)在硅片上進行光刻、刻蝕，形成溝槽；
(2)在所述形成了溝槽的硅片上淀積SiO2犧牲層；
(3)采用第一次化學機械拋光工藝，對硅片的表面進行平整化，將硅片表面的SiO2去除干凈，溝槽內填滿SiO2犧牲層；
(4)采用第二次化學機械拋光工藝，去掉硅片表面的一定厚度的硅層；
(5)在所述兩次拋光工藝后的硅片上淀積支撐層；
(6)光刻支撐層，并在支撐層上開出腐蝕窗口；
(7)采用干法或濕法腐蝕工藝，腐蝕去掉SiO2犧牲層，最終形成一種MEMS拱形結構。
2.根據權利要求1所述的一種MEMS拱形結構的制造方法，其特征在于：所述步驟(1)中的溝槽深度為1-10μm。
3.根據權利要求1所述的一種MEMS拱形結構的制造方法，其特征在于：所述步驟(2)中的SiO2犧牲層厚度大于溝槽的深度。
4.根據權利要求1所述的一種MEMS拱形結構的制造方法，其特征在于：所述步驟(3)中進行化學機械拋光，其拋光的深度不超過SiO2犧牲層的厚度。
5.根據權利要求1所述的一種MEMS拱形結構的制造方法，其特征在于：所述步驟(4)中進行化學機械拋光，其拋光的深度不超過溝槽的深度。
6.根據權利要求1所述的一種MEMS拱形結構的制造方法，其特征在于：所述步驟(5)中的支撐層的材料可以是多晶硅或氮化硅或各種金屬。
7.根據權利要求1所述的一種MEMS拱形結構的制造方法，其特征在于：根據不同器件用途，若需要保留溝槽內的SiO2犧牲層，所述步驟(7)可以不操作。
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