[發明專利]一種碳化硅/碳化鋯復相陶瓷的制備方法無效
| 申請號： | 201110308637.3 | 申請日： | 2011-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN102503425A | 公開（公告）日： | 2012-06-20 |
| 發明（設計）人： | 余兆菊;楊樂;周聰;詹俊英;涂惠彬;廖志楠;何國梅;夏海平;陳立富 | 申請（專利權）人： | 廈門大學 |
| 主分類號： | C04B35/56 | 分類號： | C04B35/56;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 廈門南強之路專利事務所 35200 | 代理人： | 馬應森 |
| 地址： | 361005 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳化硅 碳化 鋯復相 陶瓷 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種碳化硅/碳化鋯復相陶瓷的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
1)在惰性氣氛保護下，用溶劑溶解二氯二茂鋯，再加入液態超支化聚碳硅烷，得混合物A；
2)在惰性氣氛保護下，將步驟1)所得的混合物A減壓蒸餾脫除溶劑，得混合物B；
3)將步驟2)所得的混合物B在惰性氣氛下進行裂解反應，制得碳化硅/碳化鋯復相陶瓷。
2.如權利要求1所述的一種碳化硅/碳化鋯復相陶瓷的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述二氯二茂鋯和液態超支化聚碳硅烷的質量比為1∶10～1。
3.如權利要求1所述的一種碳化硅/碳化鋯復相陶瓷的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述溶劑為二甲基亞砜、二甲基甲酰胺、三氯甲烷、二氯甲烷、四氫呋喃、正己烷中的一種。
4.如權利要求1所述的一種碳化硅/碳化鋯復相陶瓷的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述液態超支化聚碳硅烷的平均分子式為-[SiHRCH2]n-，其中R為氫原子、烷基、烯基、炔基等有機基團，n為液態超支化聚碳硅烷的平均聚合度，且n≥3。
5.如權利要求1所述的一種碳化硅/碳化鋯復相陶瓷的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述減壓蒸餾脫除溶劑的方法是采用真空減壓蒸餾的方法。
6.如權利要求1所述的一種碳化硅/碳化鋯復相陶瓷的制備方法，其特征在于在步驟3)中，所述裂解反應的溫度為1200～1800℃，裂解反應的時間為10～120min。
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