[發(fā)明專利]用于面內(nèi)切換模式的液晶顯示器件的陣列基板及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110308432.5 | 申請日: | 2011-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN102566172A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李敏職 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;鐘強 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 切換 模式 液晶顯示 器件 陣列 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)器件,更具體地,涉及用于面內(nèi)切換(IPS)模式的LCD器件的陣列基板及其制作方法。
背景技術
通常,LCD器件使用液晶的光學各向異性和極化特性驅(qū)動。所述由于液晶分子具有細而長的結構,因此它們的排列具有方向性。所述液晶分子的排列的方向性通過向液晶施加電場來控制。
當所述液晶分子的排列方向自發(fā)地調(diào)整時,液晶分子的排列發(fā)生變化,并且由于液晶的光學各向異性,光在液晶分子的排列方向上發(fā)生折射,由此來顯示圖像。
有源矩陣(AM)LCD(AM-LCD,以下稱LCD器件),以其高分辨率和出眾的視頻實現(xiàn)能力著稱,在所述有源矩陣LCD中,薄膜晶體管(TFT)和連接至TFT的像素電極以矩陣的形式排布。
所述LCD器件包括具有公共電極的濾色器(color?filter)基板(即,上基板)、具有像素電極的陣列基板(即,下基板)和介于所述上、下基板之間的液晶層。具有這種結構的LCD器件由施加在所述公共電極和所述像素電極之間的垂直電場驅(qū)動。因此,這種結構具有卓越的特性,例如透光率、開口率等等。
然而,這種LCD器件具有較差的視角特性。因而,最新采用的用來克服所述缺陷的技術是使用面內(nèi)切換(IPS)模式中的水平電場作為液晶驅(qū)動方法,所述方法可改善視角特性。
所述IPS模式的LCD配置為具有相互面對的濾色器基板和陣列基板,且具有介于所述濾色器基板和陣列基板之間的液晶層。所述陣列基板包括TFT、公共電極和像素電極,所述TFT、公共電極和像素電極位于在透明絕緣基板上限定的多個像素中的每一個像素處。公共電極和像素電極在同一基板上平行設置并彼此分隔開。所述濾色器基板包括黑矩陣和濾色器,所述黑矩陣所處的位置與在透明絕緣基板上形成柵極線,數(shù)據(jù)線和TFT的位置相對應,所述濾色器的位置根據(jù)每個像素的位置來設置。
所述液晶層由介于公共電極和像素電極之間的水平電場驅(qū)動。在具有所述結構的IPS模式的LCD器件中,公共電極和像素電極形成為透明的以確保透光度。
以下,將對用于現(xiàn)有技術中的IPS模式LCD器件的陣列基板結構進行描述。圖1是用于現(xiàn)有技術中的IPS模式LCD器件的陣列基板的平面圖。圖2是沿圖1中的線III-III方向截取的截面圖,即,用于IPS模式LCD器件的陣列基板的截面圖。
如圖1和圖2所示,用于現(xiàn)有技術的IPS模式LCD器件的陣列基板包括在基板1上沿一個方向延伸的多個柵極線13和多個公共線13b、13c,所述柵極線和所述公共線相互平行并且彼此分隔開,多個數(shù)據(jù)線21與所述柵極線13交叉,從而在所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線的交叉處限定像素區(qū),多個像素電極25a形成在由柵極線13和數(shù)據(jù)線21限定的所述像素區(qū),設置在柵極線13和數(shù)據(jù)線21的交叉處的薄膜晶體管(TFTs)T。每個TFT?T包括柵極13a、有源層(未示出)、漏極21b和源極21a,公共電極25c設置在由柵極線13和數(shù)據(jù)線21限定的像素區(qū),所述公共電極25c與所述像素電極25a彼此分隔開。
所述柵極線13提供來自柵極驅(qū)動器(圖中未示出)的掃描信號。所述數(shù)據(jù)線21提供來自數(shù)據(jù)驅(qū)動器(圖中未示出)的視頻信號。在所述柵極線13和所述數(shù)據(jù)線21之間設置有柵絕緣層15。
公共線13b和13c與柵極線13同時形成。所述公共線13b布置為與所述柵極線13平行,且所述公共線13c布置為與所述柵極線13垂直。所述公共線13b和13c彼此連接。所述公共線13c與所述數(shù)據(jù)線21重疊并且在所述公共線13c與所述數(shù)據(jù)線21之間設置有所述柵絕緣層15。
所述TFT?T受施加到柵極線13的掃描信號控制,從而允許像素電極25a帶有施加到數(shù)據(jù)線21的像素電信號,且保持信號帶電狀態(tài)。所述TFT?T包括連接到柵極線13的柵極13a;連接到數(shù)據(jù)線21的源極21a;面對源極21a且連接到像素電極25a的漏極21b;與柵極13a重疊的有源層17,并且柵絕緣層15設置在有源層17與柵極13a之間以形成源極21a和漏極21b之間的溝道;以及形成在有源層17上的歐姆接觸層19,所述歐姆接觸層19形成在有源層17上的區(qū)域不包括源極21a和漏極21b之間的溝道區(qū)域。
多個透明的像素電極25a設置在與柵極線13和數(shù)據(jù)線21分隔開的像素區(qū)的整個表面上。所述多個像素電極25a經(jīng)由貫穿下鈍化膜23形成的接觸孔23a電連接至漏極21b。多個像素電極25a的一個末端與像素電極連接線25b連接在一起,所述像素電極連接線25b與公共線13b重疊。
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術或工藝;變頻;非線性光學;光學
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導結構中的





