[發(fā)明專利]一種耐高壓鈍化保護(hù)二極管芯片及其加工方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110308126.1 | 申請(qǐng)日: | 2011-10-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102315177A | 公開(公告)日: | 2012-01-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 汪良恩;裘立強(qiáng);喻慧丹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 揚(yáng)州杰利半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/00 | 分類號(hào): | H01L23/00;H01L21/329 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
| 地址: | 225008 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高壓 鈍化 保護(hù) 二極管 芯片 及其 加工 方法 | ||
1.一種耐高壓鈍化保護(hù)二極管芯片,所述芯片包括片狀本體和鈍化保護(hù)層,所述片狀本體的上部設(shè)有一圈倒角,在軸向截面上所述倒角的斜邊呈內(nèi)凹的弧形,其特征在于,鈍化保護(hù)層覆蓋所述本體頂面邊緣處及倒角的弧形面;在所述鈍化保護(hù)層的外表面還二氧化硅防護(hù)膜層。
2.一種權(quán)利要求1所述耐高壓鈍化保護(hù)二極管芯片的加工方法,以正面開口溝槽的晶片為原料;其特征在于,接著,按以下步驟加工:
1)、涂布;在晶片表面均勻涂布乳液狀的摻有增感劑的光阻玻璃,確保其滲入所述溝槽;
2)、軟烤;將涂布有光阻玻璃的晶片置入90-120℃環(huán)境中0.3-0.5小時(shí),使涂層凝結(jié)呈膠凍狀;
3)、掩膜;按晶片上溝槽規(guī)則制作掩膜板,掩膜板上對(duì)應(yīng)溝槽處透光,其余部分阻光;將掩膜板覆蓋于晶片上;
4)、光照固化;對(duì)覆蓋有掩膜板的晶片進(jìn)凝結(jié)行曝光,將掩膜板上的圖形轉(zhuǎn)移到晶片表面,經(jīng)光照的涂層固化,未受光照的涂層仍為膠凍狀;隨即,去除仍為膠凍狀的涂層;
5)、燒結(jié)涂層;采用一熱壓模,所述熱壓模上設(shè)有凸紋,所述凸紋輪廓形狀與所述晶片上溝槽分布形狀相同,所述凸紋截面呈內(nèi)凹弧面的喇叭形、其頂端具有楔形尖;然后,加熱熱壓模至600-800℃,進(jìn)給熱壓模,控制所述熱壓模的楔形尖不接觸所述晶片上溝槽的底面,保持2-4小時(shí),使固化的涂層牢固地?zé)Y(jié)于晶片表面;
6)、劃片:鈍化保護(hù)后的晶片按照?qǐng)D形規(guī)則劃片;
7)、裂片;制得。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的耐高壓鈍化保護(hù)二極管芯片的加工方法,其特征在于,所述熱壓模的表面涂覆有含二氧化硅的溶液。
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