[發(fā)明專利]一種SRAM源漏極尺寸的光學(xué)臨近修正建模方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110308003.8
• 申請日: 2011-10-12
• 公開（公告）號: CN102445835A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 魏芳;張辰明
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;H01L21/66
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種SRAM源漏極尺寸的光學(xué)臨近修正建模方法，其特征在于，包括：

根據(jù)設(shè)計圖形，制作三塊測試光罩，分別為第一光罩，第二光罩和第三光罩，所述第一光罩用來模擬不同源極漏極測試結(jié)構(gòu)下的有源區(qū)圖形或者淺槽隔離區(qū)圖形，所述第二光罩用來模擬不同源極漏極測試結(jié)構(gòu)下的柵極圖形，所述第三光罩用來曝光光學(xué)臨近修正模型測試結(jié)構(gòu)；

將測試用晶圓完成淺槽隔離工藝的整個流程，光刻時用所述第一光罩進(jìn)行有源區(qū)圖形的曝光；將測試用晶圓完成柵極工藝的整個流程，光刻時用所述第二光罩進(jìn)行柵極圖形的曝光；源極漏極光刻用所述第三光罩完成所述光學(xué)臨近修正模型測試結(jié)構(gòu)的曝光，測試用晶圓制作完成；

用制成的測試用晶圓進(jìn)行模型數(shù)據(jù)的收集，完成后即可建立一個包含襯底信息的源極漏極光學(xué)臨近修正效應(yīng)模型。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SRAM源漏極尺寸的光學(xué)臨近修正建模方法，其特征在于，所述包含襯底信息的源極漏極光學(xué)臨近修正效應(yīng)模型，包括：位于襯底上的密集線尺寸光學(xué)臨近修正模型測試結(jié)構(gòu)，位于襯底上的孤立線尺寸光學(xué)臨近修正模型測試結(jié)構(gòu)，位于襯底上的孤立間距尺寸光學(xué)臨近修正模型測試結(jié)構(gòu)，位于襯底上的密集間距尺寸光學(xué)臨近修正模型測試結(jié)構(gòu)，位于襯底上的密集線端間距尺寸光學(xué)臨近修正模型測試結(jié)構(gòu)，以及位于襯底上的孤立線端間距尺寸光學(xué)臨近修正模型測試結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SRAM源漏極尺寸的光學(xué)臨近修正模型方法，其特征在于，用制成的測試用晶圓進(jìn)行模型數(shù)據(jù)的收集，收集的數(shù)據(jù)包括：根據(jù)工藝需求設(shè)計的線寬尺寸，間距尺寸，重復(fù)周期和線端間距尺寸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SRAM源漏極尺寸的光學(xué)臨近修正模型方法，其特征在于，適用于65nm以下節(jié)點(diǎn)工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SRAM源漏極尺寸的光學(xué)臨近修正模型方法，其特征在于，所述位于襯底上的密集線尺寸光學(xué)臨近修正模型測試結(jié)構(gòu)的光刻版圖包括第一曝光單元，所述第一曝光單元內(nèi)以均勻相隔間距平均分布有多條源極漏極區(qū)，源極漏極區(qū)內(nèi)分布有柵極區(qū)和有源區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SRAM源漏極尺寸的光學(xué)臨近修正模型方法，其特征在于，所述位于襯底上的孤立線尺寸光學(xué)臨近修正模型測試結(jié)構(gòu)的光刻版圖包括第二曝光單元，所述第二曝光單元內(nèi)分布有一條源極漏極區(qū)，源極漏極區(qū)內(nèi)分布有柵極區(qū)和有源區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SRAM源漏極尺寸的光學(xué)臨近修正模型方法，其特征在于，所述位于襯底上的孤立間距尺寸光學(xué)臨近修正模型測試結(jié)構(gòu)的光刻版圖包括第三曝光單元，所述第三曝光單元內(nèi)均勻分布有兩塊面積相同、相互形成一定相隔間距的源極漏極區(qū)，源極漏極區(qū)內(nèi)分布有柵極區(qū)和有源區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SRAM源漏極尺寸的光學(xué)臨近修正模型方法，其特征在于，所述位于襯底上的密集間距尺寸光學(xué)臨近修正模型測試結(jié)構(gòu)的光刻版圖包括第四曝光單元，所述第四曝光單元內(nèi)以均勻相隔間距平均分布有多條源極漏極區(qū)，源極漏極區(qū)內(nèi)分布有柵極區(qū)和有源區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SRAM源漏極尺寸的光學(xué)臨近修正模型方法，其特征在于，所述位于襯底上的密集線端間距尺寸光學(xué)臨近修正模型測試結(jié)構(gòu)的光刻版圖包括第五曝光單元，所述第五曝光單元內(nèi)以均勻相隔間距和均勻線端間距平均分布有多條源極漏極區(qū)，源極漏極區(qū)內(nèi)分布有柵極區(qū)和有源區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SRAM源漏極尺寸的光學(xué)臨近修正模型方法，其特征在于，所述位于襯底上的孤立線端間距尺寸光學(xué)臨近修正模型測試結(jié)構(gòu)的光刻版圖包括第六曝光單元，所述第六曝光單元內(nèi)均勻分布有兩塊面積相同、相互形成一定線端間距的源極漏極區(qū)，源極漏極區(qū)內(nèi)分布有柵極區(qū)和有源區(qū)。