[發明專利]一種去除形成鎳硅化物后多余鎳的方法無效
| 申請號： | 201110307978.9 | 申請日： | 2011-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN102446744A | 公開（公告）日： | 2012-05-09 |
| 發明（設計）人： | 周軍;傅昶 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3105 | 分類號： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 去除 形成 鎳硅化物后 多余 方法 | ||
1.一種去除形成鎳硅化物后多余鎳的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1：在一襯底上形成有硅區域，并至少包含有氧化硅區域或氮化硅區域；?
步驟S2：采用氫氟酸溶液對襯底進行選擇性鍍鎳，于硅區域上形成鎳薄膜；?
步驟S3：進行快速熱退火工藝。
2.根據權利要求1所述的去除形成鎳硅化物后多余鎳的方法，其特征在于，還包括于步驟S2中形成鎳薄膜后淀積阻擋層。
3.根據權利要求2所述的去除形成鎳硅化物后多余鎳的方法，其特征在于，阻擋層的材質為Ti、TiN。
4.根據權利要求2所述的去除形成鎳硅化物后多余鎳的方法，其特征在于，還包括于步驟S3后去除阻擋層。
5.根據權利要求1所述的去除形成鎳硅化物后多余鎳的方法，其特征在于，硅區域包括柵極區域和源漏區域。
6.根據權利要求1所述的去除形成鎳硅化物后多余鎳的方法，其特征在于，氧化硅區域包括側墻和淺溝槽區域。
7.根據權利要求1所述的去除形成鎳硅化物后多余鎳的方法，其特征在于，步驟S2中形成鎳薄膜后，氧化硅區域或氮化硅區域均不包含鎳。
8.根據權利要求1所述的去除形成鎳硅化物后多余鎳的方法，其特征在于，進行步驟S2中采用氫氟酸溶液對襯底進行選擇性鍍鎳時，其電鍍過程中加入有Pt。
9.根據權利要求1所述的去除形成鎳硅化物后多余鎳的方法，其特征在于，步驟S3中進行快速熱退火工藝的溫度為300-500℃。
10.根據權利要求1所述的去除形成鎳硅化物后多余鎳的方法，其特征在于，步驟S3中進行快速熱退火工藝的時間為10-60s。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
