[發明專利]光變防偽元件

有效

• 申請號: 201110307944.X
• 申請日: 2011-10-12
• 公開（公告）號: CN103050055A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 孫凱;朱軍
• 申請（專利權）人: 中鈔特種防偽科技有限公司;中國印鈔造幣總公司
• 主分類號: G09F3/02
• 分類號: G09F3/02;B44F1/12
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

1.一種光變防偽元件，包括基材和形成于基材表面上的第一干涉區和第二干涉區，其特征在于，

第一干涉區包括第一反射層，第一介質層，以及第一吸收層；

第二干涉區包括第二反射層，第二介質層，以及第二吸收層；

其中，第一介質層的厚度和第二介質層的厚度不同，以使得在第一角度觀測時，第一干涉區呈現第一顏色，第二干涉區呈現第二顏色，在第二角度觀測時，第一干涉區呈現與第二顏色匹配的顏色，第二干涉區呈現與第一顏色匹配的顏色。

2.根據權利要求1所述的元件，其中，第一顏色和第二顏色為互補色。

3.根據權利要求1所述的元件，其中，第一角度為0-20°；第二角度為30-70°。

4.根據權利要求1所述的元件，其中，第一介質層和第二介質層由折射率小于1.7的材料制成。

5.根據權利要求4所述的元件，其中，第一介質層和第二介質層的材料選自MgF₂、SiO₂和Al₂O₃中的一種或多種。

6.根據權利要求5所述的元件，其中，當采用SiO₂制成第一介質層和第二介質層時，第一介質層和第二介質層的厚度分別為510±20nm和615±20nm；當采用MgF₂制成第一介質層和第二介質層時，第一介質層和第二介質層的厚度分別為540±20nm和650±20nm；當采用Al₂O₃制成第一介質層和第二介質層時，第一介質層和第二介質層的厚度分別為458±20nm和553±20nm。

7.根據權利要求4所述的元件，其中，第一介質層和第二介質層是透明的。

8.根據權利要求1所述的元件，其中，第一吸收層和第二吸收層由折射率和吸收系數的比值在0.8-1.2之間的材料制成。

9.根據權利要求8所述的元件，其中，第一吸收層和第二吸收層的材料選自Cr、Ni、Ti和Co中的一種或多種。

10.根據權利要求8所述的元件，其中，第一吸收層和第二吸收層的厚度為3-15nm。

11.根據權利要求1所述的元件，其中，反射層采用金屬Al制成。

12.根據權利要求11所述的元件，其中，反射層厚度大于15nm。