[發(fā)明專利]具靜電放電保護的電子裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110307825.4 | 申請日: | 2011-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN102903727A | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 蔡培崧;梁建欽 | 申請(專利權)人: | 隆達電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L23/495 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 放電 保護 電子 裝置 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種具有靜電放電保護的電子裝置,尤其涉及一種利用尖端放電原理以達成靜電放電保護的電子裝置。
背景技術
靜電荷由一表面移動至另一表面,此現(xiàn)象即為靜電放電(Electrostatic?Discharge),亦可簡稱為ESD。于集成電路及電子組件中,靜電放電現(xiàn)象所產(chǎn)生的電流可能對半導體接面、金屬部件以與門極結構造成損壞。傳統(tǒng)的靜電放電保護裝置10如圖1所示,其中受保護的發(fā)光二極管d1與一稽納二極管(Zener?Diode)p1并聯(lián),其中稽納二極管p1的陰極與一電壓源Vdd耦合,陽極則與一電壓源Vss耦合。當于電壓源Vdd處產(chǎn)生一靜電放電現(xiàn)象時,其電壓將大于稽納二極管p1的接面崩潰電壓(junction?breakdown?voltage),使稽納二極管p1導通,并將靜電荷導入電壓源Vss。
然而,傳統(tǒng)以稽納二極管作為靜電放電保護裝置需要于集成電路制程階段進行額外的制程步驟,且增加成本負擔,仍具有相當?shù)母纳瓶臻g。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提出一種具靜電放電保護的電子裝置,包括第一導線架,具有至少一第一放電突出端;第二導線架,具有至少一第二放電突出端;以及電子組件,設置于第一導線架上,電子組件的兩端分別電性連接第一及第二導線架;第一及第二放電突出端是對向設置且分隔一既定距離;當靜電放電事件出現(xiàn)于第一或第二導線架時通過第一及第二放電突出端進行靜電放電。
本發(fā)明另提出一種具靜電放電保護的電子裝置,包括第一導線架,該第一導線架具有至少第一放電突出端;第二導線架,具有至少第二放電突出端,第二導線架電性連接至一參考電位節(jié)點;以及電子組件,電性連接第一導線架;第一及第二放電突出端是對向設置且分隔一既定距離;當靜電放電事件出現(xiàn)于第一導線架時通過第一及第二放電突出端進行靜電放電。
本發(fā)明還提出一種具靜電放電保護的電子裝置,包括第一導線架,具有至少一第一放電突出端;第二導線架,具有至少一第二放電突出端;接地導線架,具有至少一第三放電突出端及至少一第四放電突出端;電子組件,設置于接地導線架上,該電子組件的兩端分別電性連接第一及第二導線架;第一及第三放電突出端是對向設置且分隔第一既定距離;第二及第四放電突出端是對向設置且分隔第二既定距離;當靜電放電事件出現(xiàn)于第一或第二導線架時,通過第一及第三放電突出端進行靜電放電或通過第二及第四放電突出端進行靜電放電。
附圖說明
圖1為傳統(tǒng)的靜電放電保護裝置示意圖;
圖2A為具有靜電放電保護的電子裝置20的平面圖;
圖2B為圖2A的具有靜電放電保護的電子裝置20沿著AA’截面的剖面圖;
圖2C為具有靜電放電保護的電子裝置20的等效電路圖;
圖2D顯示具有靜電放電保護的電子裝置21的平面圖;
圖2E顯示具有靜電放電保護的電子裝置22的平面圖;
圖2F顯示具有靜電放電保護的電子裝置23的平面圖;
圖2G顯示具有靜電放電保護的電子裝置20’經(jīng)過封裝后的剖面圖;
圖3A為具有靜電放電保護的電子裝置30的平面圖;
圖3B為圖3A的具有靜電放電保護的電子裝置30沿著AA’截面的剖面圖;
圖3C為具有靜電放電保護的電子裝置30的等效電路圖;
圖3D顯示具有靜電放電保護的電子裝置31經(jīng)過封裝后的剖面圖;
圖4A為具有靜電放電保護的電子裝置40的平面圖;
圖4B為具有靜電放電保護的電子裝置40的等效電路圖。
附圖標記:
10、20、21、22、23、24、30、31、40:具有靜電放電保護的電子裝置;
AA’:截面
d1:電子裝置;
GND:參考電位節(jié)點;
M1:第一導線架;
M2:第二導線架;
M3:第三導線架;
p1、p2、p3、p4:放電裝置;
R1、R2、R3:空間;
S1、S1’、S2、S2’、S3、S4、S5、S6:放電突出端;
Vdd:電壓源;
Vss:電壓源;
W1、W2:導線。
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于隆達電子股份有限公司,未經(jīng)隆達電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110307825.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





