[發明專利]一種TFT-LCD陣列基板構造及其制造方法

有效

• 申請號: 201110307042.6
• 申請日: 2011-10-11
• 公開（公告）號: CN102646630A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 宋泳錫;崔承鎮;劉圣烈
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及液晶顯示領域，特別涉及一種TFT-LCD陣列基板構造及其制造方法。?

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱：TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場占據了很大部分的是高級超維場轉換技術(ADSDS，ADvanced?Super?Dimension?Switch，簡稱ADS)類型的TFT-LCD。其通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push?Mura)等優點。?

對于TFT-LCD而言，其最主要的部件為TFT陣列基板，參閱圖1所示，現有技術下，高級超維場轉換技術類型的TFT陣列基板的制造過程如下：?

步驟1-4：在玻璃基板0的像素區域(Pixel區域)形成第一像素電極層1，并采用掩膜工藝在形成的第一像素電極層1上形成第一像素電極。?

具體包括：假設第一像素電極層采用的刻蝕材料為ITO，則在玻璃基板0的像素區域形成ITO層，接著，在形成的ITO層上采用掩膜(Mask)工藝形成光刻膠，再對未經掩膜的ITO層進行刻蝕，最后，對光刻膠進行剝離，從而在Pixel區域基于ITO層形成第一像素電極。?

步驟5-8：在經步驟1-4后的玻璃基板0的像素區域和柵極區域(Gate?Pad)?形成柵極層，并按照掩膜工藝在形成的層上形成柵電極2。?

具體包括：以導電性良好的金屬作為材料，在玻璃基板0的像素區域和柵極區域形成柵極層，接著，在形成的柵極層上掩膜涂覆光刻膠，采用掩膜工藝對光刻膠進行曝光和顯影處理，對不保留區域的光刻膠進行去除，再對掩膜已經去除光刻膠的柵極層進行刻蝕，最后，對光刻膠進行剝離，從而在像素區域和柵極區域基于柵極層形成柵電極2。?

步驟9-10：在經步驟5-8后的玻璃基板0上的像素區域、柵極區域和數據區域(Data?Pad)形成絕緣層3、半導體層4和源漏電極層層5(SD層)。?

步驟11：在像素區域和數據區域形成的源漏電極層5上形成光刻膠6。?

步驟12：對經步驟11后未覆蓋有光刻膠6的源漏電極層5進行第一次刻蝕。?

步驟13：對經步驟12后未覆蓋有源漏電極層5的半導體層4進行第一次刻蝕。?

步驟14：按照構圖工藝對像素區域和數據區域上形成的光刻膠6進行灰化。?

步驟15：對經步驟14后暴露的源漏電極層5進行第二次刻蝕，從而在像素區域形成源漏電極。?

步驟16-17：對經步驟15后暴露的半導體層4進行刻蝕，并將像素區域和數據區域上殘留的光刻膠6進行剝離。?

步驟18-21：在經步驟16-17后的玻璃基板0上的像素區域、柵極區域和數據區域上形成第二絕緣層7，并按照掩膜工藝在像素區域、柵極區域和數據區域上形成光刻膠，再對未經掩膜的像素區域和數據區域上的第二絕緣層7，柵極區域上的第二絕緣層7和第一絕緣層3進行刻蝕。?

步驟22-25：在經步驟18-21后的玻璃基板0上的像素部、柵極區域和數據區域上形成公共電極層8，并按照掩膜工藝在形成的公共電極層8上形成公共電極。?

具體包括：假設公共電極層采用的選擇性刻蝕材料為ITO，則在玻璃基板0的像素區域、柵極區域和數據區域上形成ITO層，接著，在形成的ITO層上采用掩膜工藝形成光刻膠，再對未經掩膜的ITO層進行刻蝕，最后，對光刻膠進行剝離，從而在像素區域、柵極區域和數據區域上基于ITO層形成公共電極。?

從上述流程中可以看出，傳統的ADS類型的TFT-LCD陣列基板的生產工藝中，需要進行5次掩膜，工藝流程復雜，生成成本較高。?

有鑒于此，需要提出一種新的生成ADS類型的TFT-LCD陣列基板的方法，以簡化上述流程。?

發明內容

本發明實施例提供一種TFT-LCD陣列基板構造及其制造方法，用以簡化生產TFT-LCD陣列基板的工藝流程，降低生產成本。?

本發明實施例提供的具體技術方案如下：?

一種制造TFT-LCD的方法，包括：?

在玻璃基板(0)的像素區域形成半導體層(A)，并采用掩膜工藝在所述半導體層(A)上形成半導體有源層；?