[發明專利]對三維半導體組件邊緣修整的方法及形成相應組件的方法

有效

• 申請號: 201110307024.8
• 申請日: 2011-10-08
• 公開（公告）號: CN102760643A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 施信益;陳逸男;劉獻文
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

1.一種對三維半導體組件進行邊緣修整的方法，包括：

提供基底，其中所述基底上包括多個堆棧層，且所述基底中包括多個穿基底插塞，所述基底的邊緣是弧形；

對所述基底的弧形邊緣進行邊緣修整步驟，以得到平坦的邊緣；及

對所述基底進行薄化步驟，以暴露所述多個穿基底插塞。

2.根據權利要求1所述的對三維半導體組件進行邊緣修整的方法，其中所述基底平坦的邊緣垂直于所述基底的表面。

3.根據權利要求1所述的對三維半導體組件進行邊緣修整的方法，其中所述基底是晶圓。

4.根據權利要求1所述的對三維半導體組件進行邊緣修整的方法，其中所述邊緣修整步驟是垂直研磨制程。

5.根據權利要求1所述的對三維半導體組件進行邊緣修整的方法，其中所述薄化基底的步驟采用研磨制程。

6.根據權利要求1所述的對三維半導體組件進行邊緣修整的方法，其中所述多個堆棧層是組件結構的層。

7.根據權利要求6所述的對三維半導體組件進行邊緣修整的方法，其中所述多個堆棧層包括：

閘極介電層；

閘電極，位于所述閘極介電層上；

多個介電層，位于所述閘電極上；及

內聯機，位于各介電層中。

8.根據權利要求7所述的對三維半導體組件進行邊緣修整的方法，其中所述內聯機包括多個導線和插塞。

9.根據權利要求8所述的對三維半導體組件進行邊緣修整的方法，其中所述多個穿基底插塞連接至少一個所述導線和插塞。

10.根據權利要求1所述的對三維半導體組件進行邊緣修整的方法，其中所述形成所述多個穿基底插塞的步驟包括：

在所述基底中形成多個孔洞；

在所述基底上形成導電層，且填入所述孔洞中；

移除所述孔洞外的導電層。

11.根據權利要求1所述的對三維半導體組件進行邊緣修整的方法，還包括對基底進行清洗制程。

12.一種形成三維半導體組件的方法，包括：

提供晶圓，其中所述晶圓上包括多個堆棧層，所述晶圓中包括多個穿基底插塞，且所述晶圓的邊緣是弧形；

對所述晶圓的弧形邊緣進行邊緣修整步驟，以得到平坦的邊緣；及

對所述晶圓進行薄化步驟，直到暴露所述多個穿基底插塞，其中所述晶圓的平坦邊緣垂直所述晶圓的表面。

13.根據權利要求12所述的形成三維半導體組件的方法，其中所述邊緣修整步驟是垂直研磨制程。

14.根據權利要求12所述的形成三維半導體組件的方法，其中所述薄化基底的步驟采用研磨制程。

15.根據權利要求12所述的形成三維半導體組件的方法，其中所述堆棧層包括：

閘極介電層；

閘電極，位于所述閘極介電層上；

多個介電層，位于所述閘電極上；及

內聯機，位于所述多個介電層中。

16.根據權利要求12所述的形成三維半導體組件的方法，其中所述內聯機包括多個導線和插塞。

17.根據權利要求16所述的形成三維半導體組件的方法，其中所述多個穿基底插塞連接至少一個所述導線和插塞。

18.根據權利要求12所述的形成三維半導體組件的方法，其中形成所述多個穿基底插塞的步驟包括：

在所述晶圓中形成多個孔洞；

在所述晶圓上形成導電層，且填入所述孔洞中；

移除所述孔洞外的導電層。

19.根據權利要求12所述的形成三維半導體組件的方法，其中所述方法避免在薄化步驟形成晶圓尖銳的邊角。

20.根據權利要求12所述的形成三維半導體組件的方法，還包括對晶圓進行清洗制程。