[發明專利]具有可調式電導體的裝置及調整可調式電導體的方法

有效

• 申請號: 201110306800.2
• 申請日: 2007-03-05
• 公開（公告）號: CN102438391A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 陳映霖;高季安;陳柏仁;蕭義理;余振華;汪青蓉;許呈鏘
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46;H01J37/32
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 劉曉飛;張龍哺

1.一種裝置，包括：

一壓力反應室，包括一空間；

一晶片承載部，設于該壓力反應室中，用以承載一半導體晶片或基板；以及

一可調式電導體，設于該壓力反應室中且與該晶片承載部隔開，該可調式電導體用以產生一等離子體，該等離子體具有一密度，并且該密度于該壓力反應室中的該空間中可選擇性地被改變，其中該可調式電導體包括一線圈繞組，該線圈繞組包括至少兩個線圈，這些線圈互相相對移動以改變該線圈繞組的至少一維度，該些線圈分別由中心向外螺旋狀延伸。

2.如權利要求1所述的裝置，其中該空間被形成于被該晶片承載部所承載的該晶片與該可調式電導體之間，或是該空間被形成于被該晶片承載部所承載的該基板與該可調式電導體之間，且該空間包括至少一維度，該維度可以被調整而改變或是通過調整該可調式電導體的形狀而改變。

3.如權利要求1所述的裝置，其中該晶片承載部，用以承載一半導體晶片或一基板，該半導體晶片或基板的直徑為4英寸或大于4英寸。

4.一種裝置，包括：

一壓力反應室，包括一空間；

一晶片承載部，設于該壓力反應室中，用以承載一半導體晶片或基板；以及

一可調式電導體，設于該壓力反應室中且與該晶片承載部隔開，該可調式電導體用以產生一等離子體，該等離子體具有一密度，并且該密度于該壓力反應室中的該空間中可選擇性地被改變，其中該可調式電導體包括至少兩個線圈繞組，每個線圈繞組包括至少兩個線圈，這些線圈繞組互相獨立地由分離電壓所驅動，且這些線圈互相相對移動以改變該線圈繞組的至少一維度，該些線圈分別由中心向外螺旋狀延伸。

5.如權利要求4所述的裝置，其中該空間被形成于被該晶片承載部所承載的該晶片與該可調式電導體之間，或是該空間被形成于被該晶片承載部所承載的該基板與該可調式電導體之間，且該空間包括至少一維度，該維度可以被調整而改變或是通過調整該可調式電導體的形狀而改變。

6.如權利要求4所述的裝置，其中該晶片承載部，用以承載一半導體晶片或一基板，該半導體晶片或基板的直徑為4英寸或大于4英寸。

7.一種等離子體密度分布控制的方法，包括以下步驟：

將一晶片或一基板置于一壓力反應室中，該壓力反應室包括一可調式電導體，其中該可調式電導體包括一線圈繞組，該線圈繞組包括至少兩個線圈，這些線圈互相相對移動以改變該線圈繞組的至少一維度，該些線圈分別由中心向外螺旋狀延伸；以及

調整該可調式電導體的線圈繞組，以產生一等離子體，該等離子體具有一密度，且該密度于該壓力反應室中的空間中可選擇性地被改變。

8.如權利要求7所述的方法，其中該調整該可調式電導體的步驟是調整該可調式電導體的形狀以使該晶片或該基板所在的該空間能夠被選擇性地改變其高度。

9.如權利要求7所述的方法，還包括一施加一電壓于該可調式電導體以及該晶片或該基板之間的步驟。

10.如權利要求9所述的方法，其中該可調式電導體被調整為一平面形狀、一凹面、一凸面形狀或一波浪狀，以使該晶片或該基板所在的該空間的高度大致為固定不變。